FQH8N100C onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 33279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 411.43 грн |
| 30+ | 238.18 грн |
| 120+ | 198.31 грн |
| 510+ | 164.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQH8N100C onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 225W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQH8N100C за ціною від 192.01 грн до 442.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQH8N100C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 1000V N-Channel |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQH8N100C | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 1000V N-Channel |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FQH8N100C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FQH8N100C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
FQH8N100C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A On-state resistance: 1.45Ω Power dissipation: 225W Gate charge: 70nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FQH8N100C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1kV Drain current: 5A On-state resistance: 1.45Ω Power dissipation: 225W Gate charge: 70nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |