Продукція > FQL
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQL01120B4M | на замовлення 17933 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
FQL02020CLC5 | FQL | QFP44 | на замовлення 291 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQL40N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQL40N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-264 Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 460 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 460 Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQL40N50 | ON Semiconductor | на замовлення 10125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQL40N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50 транзистор Код товару: 183157
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQL40N50F | FAIRCHIL | 09+ DIP8 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 460W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 460W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel FRFET | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQL40N50F | Fairchild | на замовлення 3033 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQL40N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL40N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQL40N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 460 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 460 Bauform - Transistor: TO-264 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL50N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
FQL50N40 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 50A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: HPM F2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
FQL50N40 | FAIRCHILD | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FQLO1280B4 | 99/00 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |