Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FQL40N50
FQL40N50

FQL40N50 ON Semiconductor

fql40n50-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+492.74 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQL40N50 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQL40N50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FQL40N50 FQL40N50 ONSEMI 2907429.pdf Description: ONSEMI - FQL40N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-264
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 460
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 460
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50 ON Semiconductor FQL40N50-D.pdf
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50 2907429.pdf
FQL40N50
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQL40N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-264
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 460
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 460
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQL40N50 FQL40N50-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.