НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
G2K/4Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 78-BYW55
товар відсутній
G2K2P10S2EGoford SemiconductorDescription: P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G2K2P10S2EGoford SemiconductorDescription: P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 47.37 грн
100+ 36.32 грн
500+ 26.94 грн
1000+ 21.55 грн
2000+ 19.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
G2K2P10SEGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1653 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G2K3N10GGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 436 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
G2K3N10HGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
G2K3N10L6Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A SOT23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G2K8P15SGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.83 грн
16000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000