Продукція > G6N
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G6N-2-Y | OMRON | 1997 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G6N02L | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1151 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| G6N02L | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1151 pF @ 15 V | на замовлення 3379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| G6N50E | HARRIS | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| G6N90F | Goford Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|