Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G6N90F
G6N90F

G6N90F Goford Semiconductor

G6N90F.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.68 грн
10+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G6N90F Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 900V 6A 69W 3(MAX) T, Packaging: Tube, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 450 V.

Інші пропозиції G6N90F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G6N90F GOFORD SEMICONDUCTOR G6N90F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 900V; 6A; 69W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Power dissipation: 69W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G6N90F G6N90F.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 900V; 6A; 69W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Power dissipation: 69W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.