Продукція > H5N
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| H5N2007FN-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N2007LSTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: 25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Part Status: Active | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N2007LSTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH HS SW TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2008P | HITACHI | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| H5N2008P-E | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| H5N2008P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2305P-E | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N2307LSTL-E | RENESAS | SOT263/2.5 | на замовлення 445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2307LSTL-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2307LSTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: 30A, 230V, 0.052OHM, N CHANNEL M Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N2512FN-E | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2519P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2522LSTL-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2803PF-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 280V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2901FL-M0-E#T2 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC MOSFET N-CH TO-220FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N2901FN-E-A9 | на замовлення 6573 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| H5N2901LSTL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N3003P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N3007FL-M0-E#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 300V 15A TO220FL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FL Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V | на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N3007LSTL-E | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| H5N3007LSTL-E | SOT-252 | на замовлення 179 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| H5N3008P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N3011P | HITACHI | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| H5N3011P (H5N3011P-E) Код товару: 105101
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||
| H5N3011P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N3011P80-E#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N3301LSTL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N5001FM | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| H5N5011PL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N5012P-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 280V 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| H5N5016PL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| H5N6001 | HIT | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||
| H5N6001P | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |