Продукція > IJW
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IJW120R070T1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 1200V 35A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R070T1 | Infineon Technologies | JFET SIC CHIP/DISCRETE | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R070T1FKSA1 | Infineon Technologies | High Reliability JFETs IC | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
IJW120R070T1FKSA1 | Infineon Technologies | High Reliability JFETs IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R070T1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: JFET PWR FIELD EFFECT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 35 A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 238 W Resistance - RDS(On): 70 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3.3 µA @ 1200 V | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
IJW120R100T1 | Infineon Technologies | JFETs SIC CHIP/DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R100T1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 26 A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 190 W Resistance - RDS(On): 100 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 6165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | JFETs SIC CHIP/DISCRETE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide- Junction Field Effect Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | Trans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | Description: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 26 A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 190 W Resistance - RDS(On): 100 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V | на замовлення 6165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|