НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IJW120R070T1Infineon TechnologiesJFET SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R070T1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 1200V 35A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R070T1FKSA1Infineon TechnologiesHigh Reliability JFETs IC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3112.64 грн
25+3050.47 грн
100+2926.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R070T1FKSA1Infineon TechnologiesHigh Reliability JFETs IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R070T1FKSA1Infineon TechnologiesDescription: JFET PWR FIELD EFFECT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 19.5V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 35 A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 238 W
Resistance - RDS(On): 70 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 3.3 µA @ 1200 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2481.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1Infineon TechnologiesJFETs SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1FKSA1Infineon TechnologiesDescription: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 26 A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1FKSA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1975.21 грн
25+1935.46 грн
100+1856.98 грн
500+1714.00 грн
1000+1498.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1FKSA1Infineon TechnologiesJFETs SIC CHIP/DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1FKSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide- Junction Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1FKSA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1975.21 грн
25+1935.46 грн
100+1856.98 грн
500+1714.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IJW120R100T1FKSA1Infineon TechnologiesDescription: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 26 A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1575.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.