IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 26 A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 100 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 1620.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IJW120R100T1FKSA1 Infineon Technologies
Description: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS), Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V, Current Drain (Id) - Max: 26 A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Power - Max: 190 W, Resistance - RDS(On): 100 mOhms, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції IJW120R100T1FKSA1 за ціною від 1523.99 грн до 2008.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IJW120R100T1FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IJW120R100T1FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 1200V SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IJW120R100T1FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 19.5V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V Current Drain (Id) - Max: 26 A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Power - Max: 190 W Resistance - RDS(On): 100 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IJW120R100T1FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
JFETs SIC CHIP/DISCRETE |
товару немає в наявності |