Продукція > MJK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJK1882-PA881GFTSBT-2S-L3MMT
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJK1882-PA881GFTSBTB-8S-L3MMT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJK190-PA881GFTSBTMMT08+
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJK190-PA881GFTSBT-4MMT08+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJK31CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.7 W
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.73 грн
10+70.67 грн
100+47.01 грн
500+34.58 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.80 грн
500+24.84 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.15 грн
10+61.35 грн
100+41.58 грн
500+35.24 грн
1000+30.03 грн
3000+25.51 грн
9000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJK31CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.7 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.16 грн
26+32.84 грн
100+29.80 грн
500+24.84 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
MJK32CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose PNP PNP Transistor, 100V, 3A
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.33 грн
10+71.51 грн
100+41.20 грн
500+32.60 грн
1000+30.34 грн
3000+25.73 грн
6000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJK44H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJK45H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.97 грн
10+73.68 грн
100+42.79 грн
500+35.01 грн
1000+31.77 грн
3000+26.94 грн
6000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJK741-PA881GFSBT-
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJK741-PA881GFSBT-M-L3MMT08+
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.