MJK31CTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A LFPAK4
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 2.7 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.56 грн |
| 10+ | 66.93 грн |
| 100+ | 44.53 грн |
| 500+ | 32.75 грн |
| 1000+ | 29.85 грн |
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Технічний опис MJK31CTWG onsemi
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: LFPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції MJK31CTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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MJK31CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MJK31CTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MJK31CTWG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MJK31CTWG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MJK31CTWG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 2.7W
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)