Продукція > MVG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MVG24-110/32DFX | 3M Electronic Specialty | Terminals F/M DISCNCT VNYL INS 70F-110-32-PB-A | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVG24-110/32DFX-BOTTLE | 3M | Description: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC Packaging: Bulk Gender: Female Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 20-26 AWG Insulation: Non-Mating End Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.630" (16.00mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.110" (2.79mm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVG24-110DFK | 3M | Description: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110 Packaging: Bulk Gender: Female Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 20-26 AWG Insulation: Non-Mating End Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.630" (16.00mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.110" (2.79mm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVG24-110DFK | 3M Electronic Specialty | Terminals 70F-110-20-PB-A 80610034490 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVG25WV47UF | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
MVG35WV47UF(M)F60 | на замовлення 886 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 20V, 750mA, 90mohm MOSFET 20V 750mA 90 mOhm Single N-Channel SOT-23 | на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | ONSEMI | MVGSF1N02LT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
MVGSF1N03L | onsemi | NFET SOT23 30V 1.6A 0.100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | ONSEMI | MVGSF1N03LT1G SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | onsemi | MOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100 | на замовлення 11202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MVGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |