Продукція > MVG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MVG24-110/32DFX3M Electronic SpecialtyTerminals F/M DISCNCT VNYL INS 70F-110-32-PB-A
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.30 грн
10+185.70 грн
20+157.01 грн
100+133.20 грн
200+129.48 грн
500+103.44 грн
1000+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MVG24-110/32DFX-BOTTLE3MDescription: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 20-26 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.630" (16.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.110" (2.79mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVG24-110DFK3M Electronic SpecialtyTerminals 70F-110-20-PB-A 80610034490
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVG24-110DFK3MDescription: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 20-26 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.630" (16.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.110" (2.79mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVG25WV47UF
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MVG35WV47UF(M)F60
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.53 грн
19+45.49 грн
100+30.39 грн
500+22.71 грн
1000+18.39 грн
5000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.47 грн
6000+16.39 грн
9000+15.68 грн
15000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.39 грн
500+22.71 грн
1000+18.39 грн
5000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 75MA 90MO
на замовлення 8451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.58 грн
10+47.32 грн
100+27.53 грн
500+21.95 грн
1000+19.72 грн
3000+16.67 грн
6000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+45.19 грн
100+29.48 грн
500+21.33 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N02LT1GONSEMIMVGSF1N02LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03Lonsemi NFET SOT23 30V 1.6A 0.100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03LT1GONSEMIMVGSF1N03LT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03LT1GonsemiMOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100
на замовлення 11202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.87 грн
10+42.62 грн
100+26.27 грн
500+20.91 грн
1000+19.42 грн
3000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MVGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.37 грн
10+39.07 грн
100+26.88 грн
500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.