Продукція > ONSEMI > MVGSF1N03LT1G
MVGSF1N03LT1G

MVGSF1N03LT1G onsemi


MGSF1N03LT1_D-2315817.pdf Виробник: onsemi
MOSFET NFET 30V 1.6A 0.100
на замовлення 22000 шт:

термін постачання 364-373 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.22 грн
10+ 43.69 грн
100+ 29.09 грн
500+ 23.05 грн
1000+ 18.4 грн
3000+ 16.67 грн
6000+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MVGSF1N03LT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V.

Інші пропозиції MVGSF1N03LT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MVGSF1N03LT1G MVGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MVGSF1N03LT1G MVGSF1N03LT1G Виробник : ON Semiconductor mgsf1n03lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
MVGSF1N03LT1G MVGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
товар відсутній
MVGSF1N03LT1G MVGSF1N03LT1G Виробник : onsemi mgsf1n03lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
товар відсутній