MVGSF1N03LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.73 грн |
| 10+ | 37.36 грн |
| 100+ | 25.71 грн |
| 500+ | 19.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MVGSF1N03LT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V.
Інші пропозиції MVGSF1N03LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MVGSF1N03LT1G | onsemi |
MOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100 |
на замовлення 9721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MVGSF1N03LT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100
MOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100
на замовлення 9721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)