Продукція > NP2

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP2-12ENERSYSDescription: ENERSYS - NP2-12 - BATTERIES,SEALED LEAD ACID
tariffCode: 85331000
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batteriekonformität: -
Batterie-/Akkuspannung: 12V
Batteriekapazität: 2Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Lead Acid
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
isCanonical: Y
Batterietyp/-größe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 20mm
Außentiefe: 150mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Außendurchmesser: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 89mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Quick Connect
Produktpalette: NP Battery Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 0.7kg
directShipCharge: 25
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4391.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP2-BD25ChintКнопочный переключатель Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP2-BE101ChintКнопочный переключатель доп контакт Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP2-BW8465ChintКнопочный переключатель Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP2-EW8475(LED)ChintКнопочный переключатель Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.1-12YUASADescription: YUASA - NP2.1-12 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 12 V, Bleisäure, 2.1 Ah, Steckanschlüsse
tariffCode: 85072020
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batterie-/Akkuspannung: 12V
Batteriekapazität: 2.1Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Außenbreite: 34mm
Außentiefe: 178mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Außendurchmesser: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 64mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 820g
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1834.70 грн
5+1734.02 грн
10+1633.35 грн
20+1486.02 грн
50+1344.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.3-12YUASADescription: YUASA - NP2.3-12 - Akku, VRLA-Akku, Einzelzelle, 12 V, Bleisäure, 2.3 Ah, Steckanschlüsse, 1
tariffCode: 85072080
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batteriekonformität: -
Batterie-/Akkuspannung: 12V
Batteriekapazität: 2.3Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
isCanonical: Y
Batterietyp/-größe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 34mm
Außentiefe: 178mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 64mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 950g
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2105.31 грн
5+2063.43 грн
10+2020.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.3-12FREnerSysLead Acid Battery Rectangular 12V 2.3Ah Rechargeable
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6841.52 грн
5+6739.55 грн
10+6135.13 грн
25+5692.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.3-12FREnerSysDescription: POWER SUPP, BATTERIES & COND
Packaging: Bulk
Battery Cell Size: 12V
Capacity: 2.3Ah
Size / Dimension: 7.01" L x 1.38" W x 2.64" H (178.0mm x 35.0mm x 67.0mm)
Termination Style: Spade, .187" (4.7mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Voltage - Rated: 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.8-12YUASADescription: YUASA - NP2.8-12 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 12 V, Bleisäure, 2.8 Ah, Steckanschlüsse, 1
tariffCode: 85072020
NEDA-Code: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: NA
Batteriekonformität: -
Batterie-/Akkuspannung: 12V
Batteriekapazität: 2.8Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Batterietyp/-größe: Bleisäure
Außenbreite: 67mm
Außentiefe: 134mm
Batterie-/Akkugrößencode: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 64mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 1.12kg
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2818.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.8-6InterlightDescription: Replacement for Enersys Genesis
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.8-6YUASADescription: YUASA - NP2.8-6 - Akku, Baureihe NP, verschlossen, Einzelzelle, 6 V, Bleisäure, 2.8 Ah, Steckanschlüsse
tariffCode: 85072020
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batterie-/Akkuspannung: 6V
Batteriekapazität: 2.8Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Außenbreite: 34mm
Außentiefe: 134mm
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Außendurchmesser: -
Menge pro Packung: 1
Außenhöhe: 64mm
Batterie-/Akkuanschlüsse: Steckanschlüsse
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 570g
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2652.98 грн
5+2537.00 грн
10+2418.61 грн
20+2168.07 грн
50+1960.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP2.9-12EnerSysDescription: POWER SUPP, BATTERIES & COND
Packaging: Bulk
Battery Cell Size: 12V
Capacity: 2.9Ah
Size / Dimension: 3.11" L x 2.20" W x 4.13" H (79.0mm x 56.0mm x 105.0mm)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Voltage - Rated: 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2016SS-WIEGGalco Industrial ElectronicsDescription: Inner Panel, 304 Stainless Steel
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14129.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP2022A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P04SLG
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P04SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -20A 25mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+107.18 грн
100+63.51 грн
500+50.60 грн
1000+46.46 грн
2500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.74 грн
5000+42.08 грн
7500+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P04SLG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP20P04SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
10+93.43 грн
100+68.94 грн
500+58.11 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.62 грн
100+67.74 грн
500+50.79 грн
1000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P04SLG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP20P04SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+58.11 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG-E1-AYRenesasTO252/ZKPCH, SINGLE,VDSS 60V, ID(DC)-20A, RDS(ON)MAX(OHM) @VGS=10V OR 8V 0. NP20P06
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.76 грн
10+99.62 грн
100+67.74 грн
500+50.79 грн
1000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP20P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
10+93.43 грн
100+68.94 грн
500+58.11 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.74 грн
5000+42.08 грн
7500+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP20P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+58.11 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -20A 48mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.13 грн
10+107.18 грн
100+63.51 грн
500+50.60 грн
1000+46.46 грн
2500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06YLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2407 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.40 грн
100+65.48 грн
500+49.00 грн
1000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06YLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
10+103.21 грн
100+61.16 грн
500+48.39 грн
1000+44.46 грн
2500+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP20P06YLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2407 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SAMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 180V 150A SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SAT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 50A DO-214AA
Packaging: Bulk
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 37pF
на замовлення 9844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SAT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 50A DO-214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 37pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SAT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SBMCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 250A DO-214AA
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 29pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Peak Pulse (8/20µs): 250 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 80 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SBT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SBT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 80A DO-214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 80 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 59pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SBT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 80A DO-214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 80 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 59pF
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SCMCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 400A DO-214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 33pF
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Voltage - Breakover: 240V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - On State: 4 V
Supplier Device Package: SMB
Current - Hold (Ih): 150 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 400 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 100A DO-214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 97pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 180V 100A DO-214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 180V
Voltage - Breakover: 240V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 97pF
Packaging: Bulk
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SCT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NP2100SCT3G - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1735 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2100SCT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2222
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HHERenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HHE-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HHE-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLERenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-E1-AY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-S16-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055HLE-S16-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055IDE
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055IHE-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055IHE-E1Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055IHE-E1-AY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055IHE-E2Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE-E1Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE-E1-AY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE-E1-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055ILE-E2Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SHE-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SHE-E1-AY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SHE-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SHE-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SHE-E2-AYRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE(1)-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE(1)-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1-AYRenesasMP-3ZK/TO-252ZKNCH, SINGLE, MP-3ZK/TO-252ZK, 55V, ID(DC)22A, кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET Single MOSFET, matte tin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E1-AZNECTO252
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E2-AYRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tj)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLE-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP22N055SLEE1AZNECTO252
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SAMCT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 190V 150A SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SAT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SAT3GON SemiconductorDescription: THYRISTOR 190V 50A SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SBMCT3GON SemiconductorDescription: SILICON SURGE PROTECTOR
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SBT3G
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SBT3GON SemiconductorDescription: SILICON SURGE PROTECTOR
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SCMCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 190V 400A DO-214AA
Current - Peak Pulse (8/20µs): 400 A
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 190V
Voltage - Breakover: 260V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 33pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SCT3GONDO214
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP2300SCT3GonsemiDescription: THYRISTOR 190V 100A DO-214AA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 100 A
Current - Hold (Ih): 150 mA
Supplier Device Package: SMB
Voltage - On State: 4 V
Voltage - Off State: 190V
Voltage - Breakover: 260V
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Capacitance: 56pF
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]