НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NP6-11D/1F whiteChint Group CorporationКнопка белая без фиксации SPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP6-11D/5F yellowChint Group CorporationКнопка желтая без фиксации SPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP6-11DS/6F blueChint Group CorporationКнопка синяя с фиксацией SPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP6-22DS/4FChint Group CorporationКнопка красная с фиксацией DPDT, LED-индикатор 24В
на замовлення 7 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03KUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER E AUTO MOS MP-25LZA/LZK UMOS4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03KUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03KUG-E1/-AY/JM
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03KUG00377Renesas ElectronicsMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG(1)-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG(1)-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N03SUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04HLF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04ILF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04ILF-E1-AZRenesasDescription: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+129.51 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04KUG-E1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04KUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04KUG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04KUG-E2-AZRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04MUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04MUG-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04MUK
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04NUK
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04NUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04PDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs NCH POWER MOSFET 40V 60A 3.95MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.63 грн
10+103.33 грн
100+70.45 грн
500+52.90 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRS2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.85 грн
10+105.11 грн
100+71.72 грн
500+53.90 грн
1000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.63 грн
10+103.33 грн
100+70.45 грн
500+52.90 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055KUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055KUG-E1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055KUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055KUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055MUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055NUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.18 грн
10+89.85 грн
100+64.37 грн
250+64.22 грн
500+56.18 грн
1000+52.24 грн
2500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.69 грн
10+90.38 грн
100+69.82 грн
500+52.61 грн
1000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06MLK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06PDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET TRANSISTOR MORE 1 W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06PDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-25LZP ANL2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06PLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs NCH POWER MOSFET 60V 60A 7.9MOHM D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.49 грн
10+106.11 грн
100+72.85 грн
250+67.57 грн
500+61.32 грн
1000+52.54 грн
2500+49.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+93.02 грн
100+70.24 грн
500+52.74 грн
1000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.13 грн
10+95.11 грн
100+71.72 грн
500+54.08 грн
1000+52.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.96 грн
10+107.83 грн
100+75.16 грн
250+69.35 грн
500+62.95 грн
1000+53.95 грн
2500+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP6120-30
на замовлення 6049 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP65-12YUASADescription: YUASA - NP65-12 - Akku, VRLA-Akku, Einzelzelle, 12 V, Bleisäure, 65 Ah, Schraube, 1
tariffCode: 85072080
NEDA-Code: -
rohsCompliant: NA
Batteriekonformität: -
Batterie-/Akkuspannung: 12V
Batteriekapazität: 65Ah
Batterie-/Akkutechnologie: Bleisäure
hazardous: true
hazardCode: 2800
rohsPhthalatesCompliant: NA
Batterietyp/-größe: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Batterie-/Akkugrößencode: -
Menge pro Packung: 1
Batterie-/Akkuanschlüsse: Schraube
Produktpalette: NP Series
productTraceability: No
IEC-Code Batterie/Akku: -
Gewicht: 23kg
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27761.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP65-12FRYuasa BatteryDescription: 12V, 65 AH SLA
Packaging: Case
Capacity: 65Ah
Size / Dimension: 13.78" L x 6.54" W x 6.85" H (350.0mm x 166.1mm x 174.0mm)
Termination Style: Nut and Bolt, M6
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25969.52 грн
10+20369.23 грн
20+19417.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP65-12IYUASACategory: Acid Cells
Description: Re-battery: acid-lead; 12V; 65Ah; AGM; maintenance-free
Body dimensions: 350x166x174mm
Storage time: 3-5 years
Capacity: 65Ah
Type of rechargeable battery: acid-lead
Rated voltage: 12V
Technology: AGM
Conform to the norm: VdS
Leads: screw M6
Rechargeable batteries features: maintenance-free
Rechargeable batteries application: power backup systems
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15472.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP6501
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.