Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP60N055VUK-E1-AY
NP60N055VUK-E1-AY

NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np60n055vukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP60N055VUK-E1-AY за ціною від 47.45 грн до 127.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.41 грн
10+89.35 грн
100+69.02 грн
500+52.01 грн
1000+47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0588ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930618.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.03 грн
10+104.91 грн
100+72.02 грн
500+60.84 грн
1000+51.64 грн
2500+49.00 грн
5000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.