НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
P1H06300D8PN Junction SemiconductorDescription: GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 55.5W
Supplier Device Package: DFN8*8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товар відсутній
P1H17400VJ-6
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P1H17405D7-6
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)