Продукція > RD3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RD3PULSEDescription: PULSE - RD3 - Schublade für 19"-Racks, mit Schloss, 3HE
Außentiefe - imperial: 14.65
Außenbreite - Zoll: 18.98
Außentiefe: 372
Außenhöhe: 130
Zur Verwendung mit: 19"-Rackschränke
Außenbreite: 482
Produktpalette: PULSE 19" Rack Drawers
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3971.28 грн
2+ 3791.24 грн
RD3-2650Kinetic TechnologiesDescription: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 1.4
Packaging: Box
Function: Video Processing
Type: Video
Utilized IC / Part: STDP2650
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DisplayPort to HDMI
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33184.24 грн
RD3-2650Kinetic TechnologiesVideo IC Development Tools DP1.2 to HDMI1.4 Converter for STDP2650
товар відсутній
RD3-2850Kinetic TechnologiesDescription: EVB DISPLAYPORT 1.2 TO HDMI 2.0
Packaging: Box
Function: Video Processing
Type: Video
Utilized IC / Part: MCDP2850
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: DisplayPort to HDMI
товар відсутній
RD3-30436-NTSCSTMicroelectronicsRD3-30436-NTSC
товар відсутній
RD3.0NEC
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0B-T1B/JM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0E--T4
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0E-T1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
на замовлення 103990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8103+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 8103
RD3.0E-T1B1
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0E-T1B2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0E-T1L1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0E-T4B1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0E-T4B2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0EBEIC SemiconductorZener Diode Single 3V 6% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD3.0EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3V 4% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD3.0EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.1V 3% 80Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD3.0ESNEC CorporationDescription: DIODE ZENER 3V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2197+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2197
RD3.0ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 378000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2197+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2197
RD3.0ES-T1AB1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0ES-T1AB2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0ESABEICZener Diode Single 3.22V 6% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD3.0ESAB1EICZener Diode Single 3.07V 4% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD3.0ESAB2EICZener Diode Single 3.22V 3% 120Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD3.0F-AZNEC CorporationDescription: DIODE ZENER
товар відсутній
RD3.0F/JM(B1)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0FBEIC1 Watt, Zener Diodes
товар відсутній
RD3.0FB1EICZener Diode Single 2.95V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.0FB2EICZener Diode Single 3.1V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.0FM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0FM(D)-T1NECDO214
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0FM-TNECSOT-
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0FM-T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0FM-T1B
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0L
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0L-T1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0L-T2NECLL34
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0MNECSOT-23
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T1-A
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T1B(3V
на замовлення 16430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T1B(3V)
на замовлення 16430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T1B-A/JMNECSOT23/SOT323
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T1B0
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T2BNECSOT23/SOT323
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T2B-A/JMRENESASSOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M-T2B/B1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0M<1>-T1BNECSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0MW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0MW-T1B
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0PNECSOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0P-T1NECSOT89
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0P-T1SOT89-3V-30NEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0P-T2NECSOT89
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0P-T2-AZRenesasDescription: RD3.0P - 1W ZENER DIODE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+44.6 грн
Мінімальне замовлення: 475
RD3.0P3V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0SNEC
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0S-T1NECSOD123
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0S-T1Rochester Electronics, LLCDescription: ZENER DIODE
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3.0S-T1-ARenesasDescription: RD3.0S-T1-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3557+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3557
RD3.0S-T1-A/JMNECSOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0S-T1-ATRenesasDescription: RD3.0S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 122583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3557+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3557
RD3.0S-T1/JMNECSOD123
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0UHNEC
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0UH-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0UMNEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0UM-T1NECSOD-523
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.0UM-T1-ARenesasDescription: RD3.0UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RD3.0UM-T2-ANECSOD123
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3F-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1466
RD3.3FBEIC1 Watt, Zener Diodes
товар відсутній
RD3.3FB1EICZener Diode Single 3.25V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.3FB2EICZener Diode Single 3.39V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.3FM-T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3MNEC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-(T1B)NEC04+ SOT23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T1BNECSOT23
на замовлення 10444 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T1BNECSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T1B-A
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T1B3.3V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M-T2B-A/JMRENESASSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3M/B1/3.3VNEC07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3MW-T1B/B
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3P
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3P-T1NEC05+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3P-T1NECSOT-89
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3P-T1(3.3)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3P-T2NECSOT89
на замовлення 11442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3P-T2/3.3VNEC
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3SNEC00+ SOD-323
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1NEC04+ SOD323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1NEC03+
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1(3.3V)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1(B)
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1(B1)
на замовлення 187826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1(B2)
на замовлення 125891 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1-A/JMNEC07+PB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1-AT/JMRENESASSOD123
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3S-T1B
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UHNEC
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UH-T1NEC603
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UJ(3.3V)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UMNEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UM-T1NECSOT23
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UM-T1RENESASSOD-323
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UM-T1NEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.3UM-T1NEC#05+ SOD-523
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6E
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6E-T1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8103+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 8103
RD3.6EBEIC SemiconductorZener Diode Single 3.7V 5% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD3.6EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.6V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD3.6EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.7V 3% 60Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD3.6ELNECSOT-23 07+
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 3.83V 5% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD3.6ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.68V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD3.6ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.83V 3% 100Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD3.6FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 3.63V 4% 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.6FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 3.56V 4% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.6FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 3.71V 3% 15Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD3.6FM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6FM-T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6FM-T1-A
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6FS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6MNECSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1-A
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1BNECSOT23
на замовлення 20600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 14641 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1B-A
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1B-A&JMNECSOT23
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1B-A/JMNECSOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1B/B1
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1B/B2
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-T1B3.6VNEC
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M-TIB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6M/23-3.6VNEC
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6P-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6P-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6P-T2/3.6V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6P-TT2/3.6VNEC
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6SNECSOD323
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD3.6S(0)-T1-AT - ZENER DIODES20
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2737+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2737
RD3.6S- T1
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S-T1(B1)
на замовлення 6021 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S-T1(B2)
на замовлення 38108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S-T1-ARenesasDescription: RD3.6S-T1-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2701+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2701
RD3.6S-T1-A
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S-T1-A/JMNEC05+PB
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S-T1-ATRenesasDescription: RD3.6S-T1-AT - ZENER DIODES200 M
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2701+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 2701
RD3.6S-T1-B1NEC03+
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S-T1B
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6S3.6V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6UH-T1RenesasZENER DIODES 2PIN ULTRA SUPER MINI MOLD
товар відсутній
RD3.6UH-T1NEC603
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6UMNEC
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6UM-T1NECSOD-423
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.6UM-T1-ARenesasDescription: RD3.6UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2774+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 2774
RD3.6UM-T13.6v
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.95(0)-T1-ANECSOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9E
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9FM
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9FM-T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9FM-T1/1W 3.9VNECDO-214A 05+
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9FM-T1/1W 3.9VNEC05+ DO-214A
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9FM-T1/1W3.9VNEC06+ SOT1812
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9FS-T1NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M(3.9V)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M-T1BNECSOT23
на замовлення 7537 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M-T1BNECSOT23/
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M-T2B 3.9VNECSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M-T2B(3V9)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9M-T2B3.9V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9MB1-T1BNECSOT23/SOT323
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9MB23.9V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9MW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9MW-T1BNECSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9MW-T2BNECSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9PNEC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P-T1NEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P-T1-AZ
на замовлення 846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P-T13.9v
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P-T1B
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P-T2/89-3.9V/3.9NEC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P-TINEC
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9P/1W3.9VNEC06+ SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9S-T1
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9S-T1-A/JMNEC08+PB/09+PB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9S-T1B
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9UH
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3.9UH-T13.9v
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30-3Eaton BussmannDescription: SWITCH 30A NON-F 3P UL98
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30-3Bussmann / EatonControl Switches 30A 3P 100kA NON-F UL98
товар відсутній
RD30-3EatonElectromechanical Switch Non-Fused Disconnect Switch 3P 30A
товар відсутній
RD300Teledyne FLIRRefrigerant Leakage Detector
товар відсутній
RD300EXTECHCategory: Meters of Env. Conditions - Others
Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle
Application: air conditioning; cooling systems
Standard equipment: leak test bottle; soft case
Power supply: battery 6LR61 9V x1
Body dimensions: 184x70x40mm
Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a
Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1
Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator
Probe length: 450mm
Storage temperature: -10...60°C
Operating temperature: 0...50°C
Heating up time: 90s
Type of meter: leak detectors
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD300FLIR ExtechDescription: REFRIGERANT LEAK DETECTOR
товар відсутній
RD300EXTECHCategory: Meters of Env. Conditions - Others
Description: Meter: leak detectors; Equipment: soft case,leak test bottle
Application: air conditioning; cooling systems
Standard equipment: leak test bottle; soft case
Power supply: battery 6LR61 9V x1
Body dimensions: 184x70x40mm
Detected gas: freo (CFC); HCFC; heptafluoropropane (HFC-227ea); R-22; R-134a; R-404a; R-410a
Battery/ rechargeable battery: battery 6LR61 9V x1
Measuring instrument features: acoustic and optical alarm; low battery indicator
Probe length: 450mm
Storage temperature: -10...60°C
Operating temperature: 0...50°C
Heating up time: 90s
Type of meter: leak detectors
товар відсутній
RD300ExtechEnvironmental Test Equipment Refrigerant Leak Detector
товар відсутній
RD300-LTeledyne FLIRLED Light Tip for Refrigerant Leakage Detector
товар відсутній
RD300-LFLIR ExtechDescription: REPLACEMENT LED TIP FOR RD300
товар відсутній
RD300-LExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Led Tip For RD300 (Please Confirm Availability)
товар відсутній
RD300-SExtechEnvironmental Test Equipment Heated Diode Replacement Tip For RD300
товар відсутній
RD300-STeledyne FLIRHeated Diode Sensor Tip for Refrigerant Leakage Detector
товар відсутній
RD300-SFLIR ExtechDescription: HEATED DIODE REPLACEMENT TIP FOR
товар відсутній
RD303M,
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD303S-T1
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3053PAPANASONIC02+
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30B104M201B6H07BWalsinMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - Leaded CAP X7R .1 uF 20 % 200V 5LL 7.5LS BULK
товар відсутній
RD30ERenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
на замовлення 144896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8103+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 8103
RD30E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30E-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 13838000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30E-T2-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8103+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 8103
RD30E-T4Renesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8103+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 8103
RD30E-T4-AZRenesas Electronics CorporationDescription: DIODE ZENER
Packaging: Bulk
на замовлення 1170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8103+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 8103
RD30E-T4B4
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30EBEIC SemiconductorZener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD30EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 27.7V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD30EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD30EB3EIC SemiconductorZener Diode Single 29.1V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD30EB4EIC SemiconductorZener Diode Single 29.8V 3% 55Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD30ES-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 71340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30ES-T1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 342000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30ESABEICZener Diode Single 28.8V 6% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30ESAB1EICDiode Zener Single 27.7V 3% 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30ESAB2EICZener Diode Single 28.4V 3% 55Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30ESAB3EICDiode Zener Single 29.1V 3% 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30ESAB4EICDiode Zener Single 29.8V 3% 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30FRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 23822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30F(10)-T6-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30F-T7Renesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30F-T7-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 803884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30F-T8-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD30FBEIC1 Watt, Zener Diodes
товар відсутній
RD30FB1EICZener Diode Single 28.26V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD30FB2EICZener Diode Single 29.37V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD30FB3
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30FB3EICZener Diode Single 30.42V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD30FM
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30FM-T1NECDO214
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30FM-T1NECDO-214
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30FM-T1/JM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30FM-T1B
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30HUF1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30HVF1
Код товару: 40856		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
RD30HVF1-101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30JS-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 628750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5864+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 5864
RD30JSABEICZener Diode Single 30V 6% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30JSAB1EICZener Diode Single 28.9V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30JSAB2EICZener Diode Single 29.9V 3% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30JSAB3EICZener Diode Single 31V 2% 200Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD30M-DNEC
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30M-T1B 30VNECSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30M-T1B/JMNECSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30M-T1B30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30M-T2BNECSOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30M-T2BNECSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30P
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30P(2)-T1NECSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30P-T1NEC01+ SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30P-T1/30
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30P-T130V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30P-T2NECSOT223
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30PC27-T1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30SNEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30SNECSOD323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S 30VNECSOD323
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD30S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3652+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3652
RD30S-T1 0805-30V-301NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T1-A
на замовлення 21886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T1-A/JMNECSOD123
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T10805-30
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T10805-30V-301NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T130V
на замовлення 51650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T1B
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30S-T2-ARenesasDescription: RD30S-T2-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3713+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3713
RD30S30V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30UJ-T1
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30UJ-T1-ARenesasDescription: RD30UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3037
RD30UM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30UM-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30UM-T1-ATRenesasDescription: RD30UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2929+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 2929
RD30UM-T1-AT/JMNECSOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD30V
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3112MMA7260Q
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3112MMA7260QNXP USA Inc.Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260Q
Packaging: Bulk
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
товар відсутній
RD3112MMA7260QE
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3112MMA7260QENXP USA Inc.Description: BOARD DEMO STAR FOR MMA7260QT
Packaging: Bulk
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908KX8
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
товар відсутній
RD3123PA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3123RA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3123S
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3123V04+
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3152MMA7260QNXP SemiconductorsMMA7260QT Accelerometer Sensor Development Tool
товар відсутній
RD3152MMA7260QNXP USA Inc.Description: BOARD REF 3-AXIS ACCELEROMETER
Packaging: Box
Sensitivity: 800, 600, 300 or 200mV/g
Interface: Analog
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Sensor Type: Accelerometer, 3 Axis
Utilized IC / Part: MMA7260, MC68HC908JW32
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Sensing Range: ±1.5g, 2g, 4g, 6g
Part Status: Obsolete
товар відсутній
RD3153NA
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3153RA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3172MMA7455LNXP SemiconductorsAcceleration Sensor Development Tools EVAL BD FOR MMA7455L
товар відсутній
RD3172MMA7455L
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3172MMA7455LNXP USA Inc.Description: EVAL BOARD FOR MMA7455L
товар відсутній
RD3172MMA7456LFreescale Semiconductor - NXPDescription: KIT MMA7456 BOARD/MC13213 BOARD
товар відсутній
RD3172MMA7456L
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD31P-4/111479ebm-papst Inc.Description: FAN BLWR 516X405MM 277/440VAC
товар відсутній
RD3243RA
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3304
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3326
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD332M50R. G. Allen Co.Конденсатор електролітичний радіальний; С, мкФ = 3 300; Uном, В = 50; Габ. розм, мм = 18 x 36; Тексп, °С = -40...+85; 18x36mm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
100+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD335M400HFCBAAillenDescription: CAP ALUM 3.3UF 20% 400V RAD TH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.315" Dia (8.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.138" (3.50mm)
Lifetime @ Temp.: 8000 Hrs @ 85°C
Height - Seated (Max): 0.472" (12.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 3.3 µF
Voltage - Rated: 400 V
Ripple Current @ High Frequency: 110 mA @ 100 kHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
RD33771-48VEVMNXP SemiconductorsMC33771B Motion Motor Control Evaluation Board
товар відсутній
RD33771-48VEVMNXP USA Inc.Description: RD33771-48VEVM
Packaging: Box
Function: CANbus
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
товар відсутній
RD33771-48VEVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33771-48VEVM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
1+81662.56 грн
RD33771CDSTEVBNXP USA Inc.Description: RDMC33771CEPEVB
Packaging: Bulk
Function: Battery Cell Controller
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33771C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU
товар відсутній
RD33771CDSTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RDMC33771CEPEVB
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30850.9 грн
RD33771CDSTEVBNXP SemiconductorsMC33771C Battery Management Evaluation Board
товар відсутній
RD33771CNTREVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33771CNTREVM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+93697.9 грн
RD33771CNTREVMNXP SemiconductorsMC33771C Battery Management Reference Design Board
товар відсутній
RD33772BJBEVMNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33772BJBEVM
товар відсутній
RD33772BJBEVMNXP SemiconductorsMC33772 Battery Management Reference Design Board
товар відсутній
RD33774CNC3EVBNXP USA Inc.Description: EVALUATION BOARD
Packaging: Bulk
товар відсутній
RD33774CNT2EVBNXP USA Inc.Description: RD33774CNT2EVB
Packaging: Bulk
товар відсутній
RD33774CNT3EVBNXP SemiconductorsNXP Semiconductors RD33774CNT3EVB
товар відсутній
RD33774PC3EVBNXP SemiconductorsNXP Semiconductors RD33774PC3EVB
товар відсутній
RD33775ACNCEVBNXP USA Inc.Description: CAN FD CENTRALIZED EVB
Packaging: Box
Function: CANbus
Type: Interface
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30531.86 грн
RD33775ACNCEVBNXP SemiconductorsMC33665A, MC33775A Reference Design Board
товар відсутній
RD33775ACNCEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ACNCEVB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35928.88 грн
RD33775ACNCEVBNXPDescription: NXP - RD33775ACNCEVB - Evaluationsboard, MC33665A, MC33775A, Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33178.42 грн
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsRD33775ACNTEVB
товар відсутній
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ACNTEVB
товар відсутній
RD33775ACNTEVBNXP USA Inc.Description: RD33775ACNTEVB
Packaging: Bulk
Function: Battery Cell Controller
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33775A
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товар відсутній
RD33775ACNTEVBNXP SemiconductorsRD33775ACNTEVB
товар відсутній
RD33775ADSTEVBNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools RD33775ADSTEVB
товар відсутній
RD33ESAB2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33F-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 7676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1758+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 1758
RD33F-B2
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33F-T6Renesas Electronics America IncDescription: RD33F - ZENER DIODE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1353+16 грн
Мінімальне замовлення: 1353
RD33F-T6-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 1466
RD33F-T7Renesas Electronics America IncDescription: RD33F - ZENER DIODE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1353+16 грн
Мінімальне замовлення: 1353
RD33F-T7-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 709505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 1466
RD33F-T8-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1466+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 1466
RD33FBEIC1 Watt, Zener Diodes
товар відсутній
RD33FB1EICZener Diode Single 31.16V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD33FB2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FB2EICZener Diode Single 32.28V 3% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD33FB3EICZener Diode Single 33.27V 2% 18Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD33FMNEC09+
на замовлення 36018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FMNECDO-214
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FM(0)-T1-AYRenesasDescription: RD33FM(0)-T1-AY - ZENER DIODES1
товар відсутній
RD33FM(D)-T1NEC
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FM(D)-T1(33V)
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FM(D)-T1TE25-33VNEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FM(D1)-T1NEC33V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FM(D1)-T1-AZRenesasDescription: RD33FM - 1W ZENER DIODE
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1209+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 1209
RD33FM-T1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FM-T1-AYRenesasDescription: RD33FM-T1-AY - ZENER DIODES1 W P
товар відсутній
RD33FM-T1-AZRenesasDescription: RD33FM-T1-AZ - ZENER DIODES1 W P
товар відсутній
RD33FM-T1-AZnec
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33FS-T1-AYRenesasDescription: RD33FS-T1-AY - ZENER DIODES1.0 W
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
732+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 732
RD33MNEC
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33M-T1BNECSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33M-T1B(33V)
на замовлення 8993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33M-T2B(33V)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33PNEC00+ SOT-89
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33P-T1NEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33P-T1(33)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33P-T1(33V)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33P-T2NECSOT89
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33SNEC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33S(0)-T1-ARenesasDescription: RD33S(0)-T1-A - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3747+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3747
RD33S-T1
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33S-T1(33V)
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33S-T1(B1)
на замовлення 153652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33S-T1-A/JMNECSOD123
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33S-T1-ATRenesasDescription: RD33S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 59255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3747+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3747
RD33S-T133V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33S-T1B
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33UJ-T1
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33UJ-T1-ATRenesasDescription: RD33UJ-T1-AT - LOW NOISE SHARP B
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2908+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 2908
RD33UM\33VNEC
на замовлення 51100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD33U\33VNEC
на замовлення 42100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3470
на замовлення 9262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3472
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3473A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3473MMA7360L
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3473MMA7360LNXP USA Inc.Description: BOARD ZSTAR2 XYZ-AXIS ACCEL
товар відсутній
RD35Banner EngineeringBanner Engineering
товар відсутній
RD35-BAstrodyneRD35-B
товар відсутній
RD3501-DCarlo GavazziSolid State Relays - Industrial Mount SSR DC SWITCHING 350V 1A
товар відсутній
RD3501-DCarlo Gavazzi Computing SolutionsRD3501-D
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7904.14 грн
4+ 7757.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD35AM(D)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD35HUF2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD367ABB - THOMAS & BETTSDescription: ABB - THOMAS & BETTS - RD367 - TERMINAL, RING TONGUE, #10, CRIMP, RED
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
Leiterquerschnitt CSA: 0
rohsCompliant: YES
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Bolzengröße - metrisch: M5
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 0
Bolzengröße - imperial: #10
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Isolatorfarbe: Red
usEccn: EAR99
Produktpalette: Sta-Kon RD Series
SVHC: No SVHC
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.34 грн
10+ 159.87 грн
25+ 156.13 грн
50+ 143.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
RD36EBEIC SemiconductorZener Diode Single 34V 5% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD36EB1EIC SemiconductorZener Diode Single 33V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD36EB2EIC SemiconductorZener Diode Single 33.6V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD36EB3EIC SemiconductorZener Diode Single 34.3V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD36EB4EIC SemiconductorZener Diode Single 34.9V 3% 75Ohm 500mW 2-Pin DO-35
товар відсутній
RD36ES-T1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36ESABEIC SemiconductorZener Diode Single 34V 5% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD36ESAB1EIC SemiconductorZener Diode Single 33V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD36ESAB2EIC SemiconductorZener Diode Single 33.6V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD36ESAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 34.3V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD36ESAB4EIC SemiconductorZener Diode Single 34.9V 3% 85Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD36F-T7
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36F-T7(B2)
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36FBEIC SemiconductorDiode Zener Single 35.13V 3% 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD36FB1EIC SemiconductorZener Diode Single 34.09V 3% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD36FB2EIC SemiconductorZener Diode Single 35.14V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD36FB3EIC SemiconductorZener Diode Single 36.1V 2% 20Ohm 1000mW 2-Pin DO-41
товар відсутній
RD36FM
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36FM(D)-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36FM-T1NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36FM-T1NEC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36JSAB3EIC SemiconductorZener Diode Single 37V 2% 300Ohm 400mW 2-Pin DO-34
товар відсутній
RD36MNECSOT23
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36MNEC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36M-T1B/JMNECSOT23/SOT323
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36M-T2BNECSOT23
на замовлення 11898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36M-T2B-A
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36MW-T1B36V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36P-T1NEC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36P-T1NECSOT89
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36P-T1NECSOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36P-T136V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36P-T2NECSOT89
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36P-T2NEC
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S(0)-T1-ARenesasDescription: RD36S(0)-T1-A - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3468+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3468
RD36S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD36S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3468+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3468
RD36S-T1NECSMD0805
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S-T1NECSOD323
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S-T1NEC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S-T1-ATRenesasDescription: RD36S-T1-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3468+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3468
RD36S-T136V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S-T1B
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36S-T2-ARenesasDescription: RD36S-T2-A - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3468+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3468
RD36SL-T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36U
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36UJ-T1
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36UJ-T1-ARenesasDescription: RD36UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3106+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3106
RD36UJ-T1/N3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36UMNECSOD523
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36UM-T1NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36UM-T1-ARenesasDescription: RD36UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3106+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3106
RD36UM-T1-ATRenesasDescription: RD36UM-T1-AT - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3106+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3106
RD36UM\36VNEC
на замовлення 129100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD36U\36VNEC
на замовлення 129100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD37M00000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M00000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0000XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0000ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0000Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E0/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E2ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000E2Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000EXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000EZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000T0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000T20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000T2ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000TZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000V30/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000V50PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M000V5XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M00GVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0F000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0F000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0F00XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0F00X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0F00ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S5000PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S5000/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S500XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S500X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S500ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S500Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T0PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T2XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T2X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T2ZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50T2Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50TXPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50TX/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50TZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50TZ/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50V30/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50V3SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37M0S50V3S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37M0S50V3X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50V3Z/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M0S50V5SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37M0S50V5S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING PLUG 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Plug for Male Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37M1000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M100E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M100E2Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M100TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M100TZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10ACES/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
RD37M10ANVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GE0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GE0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GEXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GEX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GEZPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GEZ-50-1023.5Amphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews
товар відсутній
RD37M10GEZ/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GVL0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GVLXPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GVLX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10GVLZ/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M10HV50/AAPositronicDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
Packaging: Box
Features: Backshell, Cable Clamp, Mounting Hardware
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 7.5A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: Crimp
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Contact Finish Thickness: FLASH
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Steel, Clear Chromate Plated Zinc
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6152.62 грн
RD37M10JV30Amphenol PositronicD-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever
товар відсутній
RD37M1F00Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S500XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S500X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S500ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S500Z/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S50T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S50V5XPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB PLUG 37POS CRIMP
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37M1S50V5ZPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 PIN PLUG
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37P/37.14/89-37VNEC
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD37P1000SAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Male Connector 37P Crimp Stainless Steel, Passivated Shell
товар відсутній
RD37S00000PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S00000/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - RD37S00000/AA - D-Sub-Steckverbindergehäuse, 37 -polig, D-Sub, DC, Produktreihe RD, Buchse, Gehäuse aus Zink
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 37-polig
productTraceability: No
Steckverbindertyp: D-Sub
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Steckverbindergehäusegröße: DC
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Gehäuse aus Zink
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Positronic RD Series Female Contacts
usEccn: EAR99
Produktpalette: Produktreihe RD
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6988.59 грн
5+ 5082.13 грн
10+ 4822.91 грн
25+ 4237.71 грн
RD37S00000/AAPEI-GenesisDescription: D-SUB 37 SKT
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0000SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Number of Rows: 2
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0000XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0000X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000E20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000E20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000E2S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Cable Side, Male Jackscrew (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Number of Rows: 2
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000E2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000T0PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000T0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000T20PEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S000TXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S00HT2CPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S00LT2SPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0S5000PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0S5000/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0S500XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0S500X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0S50T2XPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S0S50V3SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37S0S50V3S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37S0S50V5SPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37S0S50V5S/AAPositronicDescription: CONN D-SUB HOUSING RCPT 37POS
Packaging: Box
Connector Type: Receptacle for Female Contacts
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 37
Contact Type: Signal
Flange Feature: Board Side (4-40)
Ingress Protection: IP65/IP67 - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Connector Style: D-Sub
Shell Material, Finish: Stainless Steel, Passivated
Shell Size, Connector Layout: 4 (DC, C)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
RD37S10000-919.2Positronic IndustriesRD37S10000-919.2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9104 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD37S100E20/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S100E2X/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S100E60Amphenol PositronicD-Sub Mil Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Jackscrews
товар відсутній
RD37S100T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S100TCPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S100V50PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10ACES/AAAmphenol PositronicD-Sub Standard Connectors
товар відсутній
RD37S10GE0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10GEXPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10GEX-50-1023.5Amphenol PositronicD-Sub Standard Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Tin Shell Backshell Assembly Jackscrews
товар відсутній
RD37S10GEX/AAPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10GVL0/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10HECPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10HT2CPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S10JV30Amphenol PositronicD-Sub MIL Spec Connectors D-Sub Female Connector 37P Crimp Zinc Shell Backshell Assembly Lock Lever
товар відсутній
RD37S1S500SPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S1S50T20PEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S1S50T20/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S1S50T2X/AAPEI-GenesisDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S1S50TCPositronicDescription: CONN D-SUB RCPT 37POS CRIMP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD37S1S50TX/AAPEI-GenesisDescription: RD 37C 37#20 SKT RECP
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3803MMA7660FC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3803MMA7660FCNXP SemiconductorsMMA7660FC Accelerometer Sensor Evaluation Kit
товар відсутній
RD3803MMA7660FCNXP USA Inc.Description: KIT EVAL BOARD MMA7660FC
товар відсутній
RD38F1010C0ZTL
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010C0ZTL0
на замовлення 67150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010C0ZTL0ES
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010COZBL0
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010COZBLO
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010COZTLO
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010W0YTL0
на замовлення 14152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1010WOYTLO
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020C0ZBL0INTEL05+
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020C0ZBL0SB93
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020C0ZBL0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.77 грн
RD38F1020C0ZBLQ
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020C0ZTL0INTEL05+
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020C0ZTL0INTEL05+
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020C0ZTL0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.3V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.99 грн
RD38F1020COIBL0
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020COZBL0INTELBGA??
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020COZBLO
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020COZTLO
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1020W0YBQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 32MBIT 65NS 66SCSP
товар відсутній
RD38F1020W0YTQ0SB93IntelDescription: IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP
Packaging: Tray
Package / Case: 66-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit (FLASH), 8Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH, SRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 66-SCSP (8x14)
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 65ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 65 ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD38F1020WOYTQ0INTELBGA??
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1030WOYBQ2INTELBGA?
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F1030WOZTQ0INTELBGA??
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2020W0YBQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP
товар відсутній
RD38F2020W0YTQ0INTELBGA
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2020W0YTQ0SB93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 70NS 88SCSP
товар відсутній
RD38F2020W0YTS0
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2020W0ZBQ0
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2020WOZBQO
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2030W0ZBQ1
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2030W0ZTQ0
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2030W0ZTQ1
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2030WOYTQFINTELBGA??
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2030WOZBQ1INTELBGA??
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2030WOZTQ2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040W0ZBQ1INTEL07+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040WOYBQO
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040WOZBQ0INTELBGA??
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040WOZBQ1INTELBGA??
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040WOZBQO
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2040WOZTQO
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWYDQ0INTELBGA??
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWYDQ0INTEL04+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWYDQOINTEL04+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWYTQ0INTELBGA??
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWZD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWZDQ0IntelDescription: IC FLASH RAM 64MBIT CFI 88SCSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 88-LFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit (FLASH), 32Mbit (RAM)
Memory Type: Non-Volatile, Volatile
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH, PSRAM
Memory Format: FLASH, RAM
Supplier Device Package: 88-SCSP (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: CFI
Access Time: 85 ns
Memory Organization: 8M x 8 (FLASH), 4M x 8 (RAM)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+714.34 грн
Мінімальне замовлення: 28
RD38F2240WWZDQ0INTELBGA??
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWZDQ1
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F2240WWZDQO
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3000LOYBQO
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040L0YBQ0INTELBGA
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040L0ZBQ0INTEL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040L0ZBQ0(TSTDTS)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040L0ZBQ0S B93INTEL06+;
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040L0ZTQ0
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040L0ZTQ0856811INTEL06+;
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOYTQO
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZBINTEL05+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZBQ0INTEL420
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZBQ0INTEL420
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZBQ1
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZBQO
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZTQ0INTELBGA??
на замовлення 613 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3040LOZTQOINTELBGA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3050LOYTQ1
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3050LOZBQOINTELBGA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3350LL
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3350LLZDQ0INTELBGA 08+
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F3350WWZDQ1SB93IntelDescription: IC FLASH 128MBIT 65NS 88SCSP
товар відсутній
RD38F3352LLZDQ0
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4000LOYBQ0INTELBGA??
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4000LOYBQO
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4000LOYTQO
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4000LOZBQOINTELBGA?
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050L0YBQ1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050L0YTQ1ITL07+;
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050L0YTQ2ITL07+;
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050L0ZBQ0ITL07+;
на замовлення 10728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050L0ZTQ0ITL07+;
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050LOZBQO
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4050LOZTQO
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4400LOYBP0INTELBGA??
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4400LOYDQO
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4400LOZDQ0INTELBGA??
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4400LOZDQO
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4455LLYBQ2INTELBGA?
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4455LLZBQ0INTELBGA??
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4466LLYBQ864891INTEL
на замовлення 3348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F4470LLYFH0INTELBGA??
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F5070MOY0B0INTELBGA??
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD38F5070MOYOBOES
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3924MMA8450QNXP USA Inc.Description: BOARD DEV ACCELEROMETER MMA8450
товар відсутній
RD3924MMA8450Q
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3965MMA7660FCNXP USA Inc.Description: ZSTAR3 ZIGBEE W/MMA7660FC
товар відсутній
RD3965MMA7660FC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39ENEC CorporationDescription: RD39 - 500MW ZENER DIODE, DO-35
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2029+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2029
RD39E-TB
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39EB3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39ES-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: DIODE ZENER
на замовлення 2252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2197+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2197
RD39F2030W0ZBQ1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39FB3
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39FM
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39FM-T1NEC1808
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39FM-T1B(39V)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39FS?0?-TI-AYRENESASSOD-123
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39JS/JM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39L-T1NEC
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39MNEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39M-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39M-T2B(39)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39PNECSOT-89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P(39V)
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P-T1NECSOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P-T1(B)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P-T1-AYRenesasDescription: RD39P-T1-AY - 1W POWER MINI MOLD
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms
Part Status: Obsolete
Power - Max: 1 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 30 V
товар відсутній
RD39P-T1/39/39VNEC
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P-T139V
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P-T2-AZRenesasDescription: RD39P - 1W ZENER DIODE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 757
RD39P-T2/39VNEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39P/89-39VNEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S(0)-T1-ATRenesasDescription: RD39S(0)-T1-AT - ZENER DIODES200
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 68427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3925+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3925
RD39S(0)-T1-AT/JMRENESASSOD323
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T1NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T1NECSOD323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T1NEC05+ SOD-323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T139V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T1BNECSOD323
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T1BNEC01+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39S-T2-ATRenesasDescription: RD39S-T2-AT - ZENER DIODES200 MW
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Super Mini Mold
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3925+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3925
RD39UJ-T1
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39UJ-T1-ARenesasDescription: RD39UJ-T1-A - LOW NOISE SHARP BR
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2507+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 2507
RD39UJ-T13.9V
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39UM(39V)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD39UM-T1-ARenesasDescription: RD39UM-T1-A - ZENER DIODES 2PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Supplier Device Package: 2-Ultra Super Mini Mold
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3059+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3059
RD3A2BY100J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY100J-T1
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY102J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY103J
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY104J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY105J-T2
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY113J-T2
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY114J-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY132J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY150J
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY152J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY181J
на замовлення 50500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY202J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY204J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY220J
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY221J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY223J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY272J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY273J
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY301J
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY303J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY304J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY333J-T1
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY361J-T1
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY363J
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY391J
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY393J
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY430J
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY433G
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY470J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY473J
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY512J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY513J-T2
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY560J-T2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY561J
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY561J-T2
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY564J
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY5R1J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY621J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY683J-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY752J-T1TAIYO99+
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY822J
на замовлення 12420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY823J
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY910J
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY911J
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY911J-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3A2BY912J-T2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3CYD08CMB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3CYD08CME
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3CYD08VSERENESAS05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3CYDT08CMH1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.13 грн
500+ 48.49 грн
1000+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3G01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -40V -15A Power MOSFET
на замовлення 33436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.02 грн
10+ 62.26 грн
100+ 43.62 грн
500+ 37.23 грн
1000+ 30.37 грн
2500+ 28.84 грн
5000+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.76 грн
10+ 57.65 грн
100+ 44.8 грн
500+ 35.64 грн
1000+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3G01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -15A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+63.15 грн
250+ 60.62 грн
500+ 58.43 грн
1000+ 54.5 грн
Мінімальне замовлення: 185
RD3G01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 4505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.39 грн
10+ 80.68 грн
100+ 63.13 грн
500+ 48.49 грн
1000+ 32.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3G01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -15A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3G01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+63.15 грн
250+ 60.62 грн
500+ 58.43 грн
1000+ 54.5 грн
Мінімальне замовлення: 185
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+73.03 грн
168+ 69.76 грн
Мінімальне замовлення: 160
RD3G03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+73.03 грн
168+ 69.76 грн
250+ 66.96 грн
500+ 62.24 грн
1000+ 55.75 грн
2500+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 160
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+ 78.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.97 грн
10+ 77.55 грн
100+ 60.3 грн
500+ 47.97 грн
1000+ 39.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3G03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.67 грн
10+ 131.48 грн
100+ 103.09 грн
500+ 78.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
RD3G03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -40V -35A Power MOSFET
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.11 грн
10+ 85.01 грн
100+ 56.94 грн
500+ 48.21 грн
1000+ 39.36 грн
2500+ 36.96 грн
5000+ 35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3G03BATTL1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 19,1mOhm; 35A; 56W; -55°C~150°C; RD3G03BATTL1 TRD3G03BATTL1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
RD3G03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
товар відсутній
RD3G03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3G03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 102.62 грн
100+ 71.92 грн
500+ 59.14 грн
1000+ 51.21 грн
2500+ 43.42 грн
10000+ 42.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
RD3G03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 20 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.54 грн
10+ 99.2 грн
100+ 79.75 грн
500+ 61.49 грн
1000+ 50.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G03BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G03BBGTL1 - NCH 40V 65A, TO-252, POWER MOSFET
товар відсутній
RD3G07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -40V -70A Power MOSFET
на замовлення 25517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.71 грн
10+ 135.55 грн
100+ 93.23 грн
250+ 91.9 грн
500+ 79.25 грн
1000+ 67.26 грн
2500+ 63.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.29 грн
10+ 132.23 грн
100+ 103.09 грн
500+ 82.55 грн
1000+ 64.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 9253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152 грн
10+ 121.26 грн
100+ 96.51 грн
500+ 76.64 грн
1000+ 65.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+85.79 грн
143+ 81.8 грн
160+ 72.95 грн
200+ 67.72 грн
500+ 62.53 грн
Мінімальне замовлення: 137
RD3G07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -70A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3G07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.09 грн
500+ 82.55 грн
1000+ 64.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.36 грн
5000+ 63.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3G07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+121.44 грн
101+ 116.01 грн
250+ 111.36 грн
500+ 103.5 грн
Мінімальне замовлення: 97
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3G07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.1 грн
10+ 173.84 грн
100+ 119.87 грн
250+ 110.55 грн
500+ 101.22 грн
1000+ 85.91 грн
2500+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3G07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3G07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.34 грн
10+ 169.58 грн
100+ 124.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.13 грн
10+ 85.95 грн
100+ 67.03 грн
500+ 51.97 грн
1000+ 41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G400GNTLROHM SEMICONDUCTORRD3G400GNTL SMD N channel transistors
товар відсутній
RD3G400GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G400GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 98.79 грн
100+ 67.26 грн
500+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G400GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.37 грн
5000+ 39.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
товар відсутній
RD3G500GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800 pF @ 20 V
товар відсутній
RD3G500GNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 35W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 35W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3G500GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.98 грн
10+ 94.2 грн
100+ 65.06 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 46.48 грн
2500+ 43.22 грн
5000+ 41.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.74 грн
10+ 97.05 грн
100+ 77.23 грн
500+ 61.32 грн
1000+ 52.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G600GNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3G600GN is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (TO-252), suitable for switching.
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.85 грн
10+ 108.75 грн
100+ 75.25 грн
250+ 69.26 грн
500+ 63.2 грн
1000+ 54.27 грн
2500+ 50.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3G600GNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 20 V
товар відсутній
RD3H045SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -4.5A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.67 грн
10+ 80.41 грн
100+ 54.27 грн
500+ 46.02 грн
1000+ 37.49 грн
2500+ 35.23 грн
5000+ 33.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3H045SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H045SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.66 грн
12+ 66.34 грн
100+ 48.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.53 грн
10+ 83.24 грн
100+ 64.89 грн
500+ 50.31 грн
1000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H045SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H045SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3H045SPTL1 SMD P channel transistors
товар відсутній
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.54 грн
500+ 45.71 грн
1000+ 30.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3H045SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.01 грн
10+ 83.48 грн
100+ 56.47 грн
500+ 46.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3H045SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H045SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 4.5 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.93 грн
13+ 57.82 грн
100+ 43.48 грн
500+ 35.03 грн
1000+ 24.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
RD3H045SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+ 72.7 грн
100+ 56.65 грн
500+ 43.92 грн
1000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3H080SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.19 грн
10+ 113.34 грн
100+ 77.25 грн
500+ 63.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.32 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3H080SPFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3H080SPFRATL SMD P channel transistors
товар відсутній
RD3H080SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H080SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 8 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.83 грн
10+ 78.44 грн
100+ 59.32 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 33.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
RD3H080SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 1643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.82 грн
10+ 97.95 грн
100+ 76.39 грн
500+ 59.22 грн
1000+ 46.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.4 грн
10+ 63.75 грн
100+ 49.59 грн
500+ 39.45 грн
1000+ 32.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3H080SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H080SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -8A TO-252(DPAK)
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.68 грн
10+ 81.94 грн
100+ 55.21 грн
500+ 45.62 грн
1000+ 36.03 грн
2500+ 34.63 грн
5000+ 33.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.17 грн
500+ 63.26 грн
1000+ 46.1 грн
5000+ 45.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+85.22 грн
161+ 72.62 грн
188+ 62.11 грн
200+ 56.82 грн
500+ 49.25 грн
1000+ 44.39 грн
Мінімальне замовлення: 137
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.46 грн
10+ 105.44 грн
100+ 82.19 грн
500+ 63.72 грн
1000+ 50.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H160SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3H160SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V Vdss -16A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.75 грн
10+ 108.75 грн
100+ 73.92 грн
500+ 60.73 грн
1000+ 47.95 грн
2500+ 44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H160SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3H160SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.03 грн
10+ 105.33 грн
100+ 82.17 грн
500+ 63.26 грн
1000+ 46.1 грн
5000+ 45.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 45V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+89.64 грн
143+ 81.94 грн
250+ 74.93 грн
500+ 65.5 грн
1000+ 57.7 грн
Мінімальне замовлення: 131
RD3H160SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H160SPFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 20W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -45V
Drain current: -16A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3H160SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3H160SPTL1 SMD P channel transistors
товар відсутній
RD3H160SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
на замовлення 16670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.42 грн
10+ 106.45 грн
100+ 71.92 грн
500+ 59.2 грн
1000+ 46.75 грн
2500+ 43.62 грн
5000+ 42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.9 грн
10+ 106.34 грн
100+ 82.92 грн
500+ 64.29 грн
1000+ 50.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H160SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H200SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 98.79 грн
100+ 69.26 грн
500+ 56.54 грн
1000+ 46.82 грн
2500+ 43.62 грн
5000+ 43.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H200SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.54 грн
10+ 98.99 грн
100+ 79.59 грн
500+ 61.37 грн
1000+ 50.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H200SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
на замовлення 7283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.43 грн
10+ 100.32 грн
100+ 67.93 грн
500+ 56.2 грн
1000+ 44.35 грн
2500+ 41.35 грн
10000+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.67 грн
12+ 65.74 грн
100+ 51.99 грн
500+ 41.76 грн
1000+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3H200SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.99 грн
500+ 41.76 грн
1000+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3H200SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.1 грн
10+ 97.6 грн
100+ 76.1 грн
500+ 59 грн
1000+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.76 грн
10+ 57.65 грн
100+ 44.8 грн
500+ 35.64 грн
1000+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+52.82 грн
260+ 44.94 грн
304+ 38.52 грн
320+ 35.18 грн
500+ 30.49 грн
1000+ 27.51 грн
2500+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 221
RD3L01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3L01BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L01BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 26
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.37 грн
10+ 84.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
товар відсутній
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+68.5 грн
179+ 65.44 грн
250+ 62.81 грн
500+ 58.38 грн
1000+ 52.29 грн
Мінімальне замовлення: 171
RD3L01BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3L01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -10A Power MOSFET
на замовлення 36432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.02 грн
10+ 60.81 грн
100+ 42.95 грн
500+ 37.16 грн
1000+ 30.3 грн
2500+ 28.5 грн
5000+ 27.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+68.5 грн
179+ 65.44 грн
250+ 62.81 грн
500+ 58.38 грн
1000+ 52.29 грн
Мінімальне замовлення: 171
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.49 грн
10+ 115.79 грн
100+ 90.39 грн
500+ 69.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+71.03 грн
173+ 67.85 грн
250+ 65.13 грн
500+ 60.54 грн
1000+ 54.23 грн
2500+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 165
RD3L03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -35A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
на замовлення 12958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.37 грн
10+ 74.71 грн
100+ 58.08 грн
500+ 46.2 грн
1000+ 37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L03BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -35A Power MOSFET
на замовлення 30602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.11 грн
10+ 84.24 грн
100+ 56.94 грн
500+ 48.21 грн
1000+ 39.36 грн
2500+ 36.89 грн
5000+ 35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L03BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L03BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.39 грн
500+ 69.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.21 грн
5000+ 35.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L03BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+51.94 грн
249+ 46.88 грн
278+ 42.12 грн
288+ 39.2 грн
500+ 34.65 грн
1000+ 31.77 грн
Мінімальне замовлення: 225
RD3L03BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -35A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3L03BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3L03BBG is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.32 грн
10+ 103.39 грн
100+ 72.59 грн
500+ 59.47 грн
1000+ 51.48 грн
2500+ 43.69 грн
10000+ 43.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.29 грн
10+ 81.92 грн
100+ 65.22 грн
500+ 51.79 грн
1000+ 43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L03BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V
товар відсутній
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 94.06 грн
25+ 89.32 грн
100+ 68.85 грн
250+ 64.36 грн
500+ 56.87 грн
1000+ 44.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 5A 15W Pd DPAK TO-252
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.88 грн
10+ 91.13 грн
100+ 62.93 грн
500+ 55.34 грн
1000+ 43.69 грн
2500+ 41.55 грн
5000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L050SNFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3L050SNFRATL SMD N channel transistors
товар відсутній
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 5A TO-252(DPAK)
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.12 грн
10+ 73.37 грн
100+ 49.88 грн
500+ 42.29 грн
1000+ 34.43 грн
2500+ 32.36 грн
5000+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.51 грн
12+ 66.34 грн
100+ 51.55 грн
500+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
RD3L050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L050SNTL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.44 грн
10+ 68.05 грн
100+ 52.92 грн
500+ 42.09 грн
1000+ 34.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -70A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.84 грн
10+ 119.73 грн
100+ 95.29 грн
500+ 75.67 грн
1000+ 64.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+119.64 грн
108+ 108.94 грн
132+ 88.9 грн
200+ 80.2 грн
500+ 73.99 грн
1000+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 98
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
товар відсутній
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 12089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.83 грн
500+ 84.63 грн
1000+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L07BATTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -70A; Idm: -140A; 101W
Power dissipation: 101W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -70A
On-state resistance: 14.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
RD3L07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -70A Power MOSFET
на замовлення 57990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.59 грн
10+ 137.85 грн
100+ 95.23 грн
500+ 81.24 грн
1000+ 69.26 грн
2500+ 68.59 грн
5000+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 12089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.03 грн
10+ 134.47 грн
100+ 106.83 грн
500+ 84.63 грн
1000+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+123.3 грн
100+ 117.78 грн
250+ 113.06 грн
500+ 105.09 грн
1000+ 94.13 грн
Мінімальне замовлення: 95
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.79 грн
10+ 182.99 грн
100+ 147.07 грн
500+ 113.4 грн
1000+ 93.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3L07BBG is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.43 грн
10+ 189.92 грн
100+ 132.52 грн
500+ 109.88 грн
1000+ 94.56 грн
2500+ 79.91 грн
10000+ 78.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
товар відсутній
RD3L080SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 8716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.11 грн
10+ 84.24 грн
100+ 56.94 грн
500+ 48.21 грн
1000+ 39.36 грн
2500+ 36.89 грн
5000+ 35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.93 грн
12+ 65.74 грн
100+ 51.1 грн
500+ 40.16 грн
1000+ 30.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.24 грн
156+ 74.93 грн
250+ 68.14 грн
500+ 59.43 грн
1000+ 47.7 грн
Мінімальне замовлення: 144
RD3L080SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.73 грн
10+ 81.92 грн
100+ 63.71 грн
500+ 50.68 грн
1000+ 41.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+43.55 грн
292+ 39.98 грн
301+ 38.79 грн
500+ 35.97 грн
1000+ 32.07 грн
Мінімальне замовлення: 269
RD3L080SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 109mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3L080SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L080SNTL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 6442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.7 грн
100+ 43.34 грн
500+ 34.47 грн
1000+ 28.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
RD3L080SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.25 грн
5000+ 26.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
товар відсутній
RD3L08BGNTLROHM SemiconductorMOSFET RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.13 грн
10+ 150.87 грн
100+ 104.55 грн
250+ 96.56 грн
500+ 87.24 грн
1000+ 75.25 грн
2500+ 71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+203.82 грн
60+ 196.06 грн
100+ 189.4 грн
250+ 177.1 грн
500+ 159.52 грн
1000+ 149.39 грн
Мінімальне замовлення: 58
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+203.82 грн
60+ 196.06 грн
100+ 189.4 грн
250+ 177.1 грн
500+ 159.52 грн
1000+ 149.39 грн
Мінімальне замовлення: 58
RD3L08BGNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 119W
Gate charge: 71nC
товар відсутній
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.63 грн
10+ 181.26 грн
100+ 145.67 грн
500+ 112.32 грн
1000+ 93.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L08BGNTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 8.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 119W
Gate charge: 71nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L140SPROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.77 грн
10+ 87.4 грн
100+ 66.86 грн
500+ 53.69 грн
1000+ 37.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.46 грн
5000+ 38.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L140SPFRATLROHM SEMICONDUCTORRD3L140SPFRATL SMD P channel transistors
товар відсутній
RD3L140SPFRATLROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 12640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 84.24 грн
100+ 59.6 грн
500+ 51.54 грн
1000+ 42.02 грн
2500+ 39.49 грн
5000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.86 грн
500+ 53.69 грн
1000+ 37.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.29 грн
10+ 80.88 грн
100+ 62.9 грн
500+ 50.04 грн
1000+ 40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L140SPTL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.87 грн
10+ 96.49 грн
100+ 65.06 грн
500+ 55.07 грн
1000+ 44.82 грн
2500+ 42.29 грн
5000+ 40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.99 грн
500+ 57.37 грн
1000+ 40.66 грн
5000+ 38.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 31637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.5 грн
10+ 86.5 грн
100+ 67.25 грн
500+ 53.5 грн
1000+ 43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.99 грн
10+ 97.86 грн
100+ 72.99 грн
500+ 57.37 грн
1000+ 40.66 грн
5000+ 38.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.39 грн
5000+ 41.63 грн
12500+ 39.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L140SPTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3L140SPTL1 SMD P channel transistors
товар відсутній
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.66 грн
500+ 59.17 грн
1000+ 44.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.46 грн
10+ 105.44 грн
100+ 82.19 грн
500+ 63.72 грн
1000+ 50.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L150SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RD3L150SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L150SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.32 грн
10+ 88.07 грн
100+ 62.53 грн
500+ 54.07 грн
1000+ 44.08 грн
2500+ 41.42 грн
5000+ 39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 7020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.87 грн
50+ 83.67 грн
100+ 73.66 грн
500+ 59.17 грн
1000+ 44.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3L150SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.24 грн
10+ 69.23 грн
100+ 46.88 грн
500+ 39.69 грн
1000+ 32.3 грн
2500+ 30.5 грн
5000+ 28.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 24538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.24 грн
10+ 62.36 грн
100+ 48.5 грн
500+ 38.58 грн
1000+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.74 грн
5000+ 30.02 грн
12500+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товар відсутній
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.73 грн
500+ 57.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L220SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.28 грн
10+ 130.9 грн
100+ 105.18 грн
500+ 81.1 грн
1000+ 67.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3L220SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 44A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
RD3L220SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.06 грн
10+ 112.58 грн
100+ 83.24 грн
250+ 76.58 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 59.33 грн
2500+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127 грн
10+ 89.65 грн
100+ 68.73 грн
500+ 57.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.97 грн
5000+ 45.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3L220SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 91.13 грн
100+ 66.59 грн
250+ 61.73 грн
500+ 56.07 грн
1000+ 48.01 грн
2500+ 45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.25 грн
500+ 58.41 грн
1000+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 10355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 86.85 грн
100+ 69.13 грн
500+ 54.9 грн
1000+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.24 грн
10+ 91.89 грн
100+ 69.25 грн
500+ 58.41 грн
1000+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
RD3P01BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+53.99 грн
254+ 46 грн
297+ 39.4 грн
313+ 36.02 грн
500+ 31.18 грн
1000+ 28.1 грн
Мінімальне замовлення: 217
RD3P01BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P01BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.46 грн
10+ 68.92 грн
100+ 46.62 грн
500+ 39.56 грн
1000+ 33.76 грн
2500+ 28.7 грн
10000+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3P02BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3P02BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P02BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.32 грн
10+ 89.6 грн
100+ 60.33 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 43.69 грн
2500+ 37.03 грн
10000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3P050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.57 грн
10+ 87.27 грн
100+ 68.02 грн
500+ 52.73 грн
1000+ 41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3P050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.91 грн
13+ 61.56 грн
100+ 46.91 грн
500+ 37.67 грн
1000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
RD3P050SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.89 грн
10+ 74.06 грн
100+ 52.28 грн
500+ 45.22 грн
1000+ 36.83 грн
2500+ 34.63 грн
5000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3P050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товар відсутній
RD3P050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.91 грн
500+ 37.67 грн
1000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3P050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.55 грн
10+ 56.47 грн
100+ 44.04 грн
500+ 34.14 грн
1000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
RD3P050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.67 грн
15+ 51.99 грн
100+ 38.77 грн
500+ 31.08 грн
1000+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 11
RD3P050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORRD3P050SNTL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
RD3P050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товар відсутній
RD3P050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.33 грн
10+ 53 грн
100+ 37.09 грн
500+ 31.77 грн
1000+ 25.11 грн
2500+ 23.37 грн
5000+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
RD3P050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.77 грн
500+ 31.08 грн
1000+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+81.7 грн
Мінімальне замовлення: 143
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3P05BATTL1ROHM SemiconductorMOSFET RD3P05BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications.
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 160-169 дні (днів)
2+182.58 грн
10+ 150.1 грн
100+ 103.89 грн
250+ 95.89 грн
500+ 87.24 грн
1000+ 78.58 грн
2500+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.17 грн
10+ 137.97 грн
100+ 109.78 грн
500+ 87.18 грн
1000+ 73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3P05BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3P05BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.87 грн
10+ 162.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RD3P05BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -50A POWER MOSFET: RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3P07BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.99 грн
10+ 173.08 грн
25+ 142.51 грн
100+ 121.87 грн
250+ 115.21 грн
500+ 108.55 грн
1000+ 98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.26 грн
10+ 160.31 грн
100+ 127.64 грн
500+ 101.36 грн
1000+ 86 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3P08BBDTLROHM SemiconductorMOSFET RD3P08BBD is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.96 грн
10+ 209.84 грн
100+ 146.51 грн
500+ 120.53 грн
1000+ 99.89 грн
2500+ 92.57 грн
5000+ 89.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
RD3P08BBDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.41 грн
5000+ 83.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RD3P08BBDTLROHM SEMICONDUCTORRD3P08BBDTL SMD N channel transistors
товар відсутній
RD3P100SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RD3P100SNFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 100V Vdss 10A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.43 грн
10+ 91.9 грн
100+ 61.73 грн
500+ 52.34 грн
1000+ 43.55 грн
2500+ 40.09 грн
5000+ 38.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
RD3P100SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товар відсутній
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.43 грн
500+ 43.63 грн
1000+ 30.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
RD3P100SNFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RD3P100SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3P100SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.36 грн
10+ 74.7 грн
100+ 55.43 грн
500+ 43.63 грн
1000+ 30.86 грн
Мінімальне замовлення: 8