Продукція > RYM

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

RYM002N05

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RYM002N05T2CL

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

RYM002N05T2CL

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V

на замовлення 904000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	5.29 грн
16000+	4.51 грн
24000+	4.45 грн
56000+	3.55 грн

Мінімальне замовлення: 8000

RYM002N05T2CL

ROHM

Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm

на замовлення 22795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	29.51 грн
43+	17.41 грн
100+	8.59 грн
500+	6.52 грн
1000+	4.67 грн
5000+	4.03 грн

Мінімальне замовлення: 26

RYM002N05T2CL

ROHM SEMICONDUCTOR

RYM002N05T2CL SMD N channel transistors

товар відсутній

RYM002N05T2CL

Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V

на замовлення 915050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	24.49 грн
17+	16.72 грн
100+	8.44 грн
500+	7.02 грн
1000+	5.46 грн
2000+	4.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

RYM002N05T2CL

ROHM Semiconductor

MOSFET .9V DRIVE N-Ch MOSFET

на замовлення 110853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.73 грн
17+	18.61 грн
100+	7.26 грн
1000+	5.06 грн
2500+	4.86 грн
8000+	4.33 грн
24000+	4.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

RYM06DRMD