Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RYM002N05T2CL
RYM002N05T2CL

RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+5.06 грн
16000+4.46 грн
24000+4.25 грн
40000+3.76 грн
56000+3.63 грн
80000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RYM002N05T2CL за ціною від 4.70 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.43 грн
32000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1713+8.26 грн
1769+8.00 грн
2500+7.76 грн
5000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 123611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1217+11.63 грн
1279+11.06 грн
1640+8.63 грн
2000+7.41 грн
8000+6.68 грн
16000+5.48 грн
32000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 1217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+19.66 грн
747+18.94 грн
1000+18.33 грн
2500+17.15 грн
5000+15.46 грн
10000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+19.66 грн
747+18.94 грн
1000+18.33 грн
2500+17.15 грн
5000+15.46 грн
10000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.80 грн
785+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor rym002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
528+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 555611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
19+15.97 грн
100+10.05 грн
500+7.03 грн
1000+6.25 грн
2000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL ROHM Semiconductor datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs .9V DRIVE N-Ch MOSFET
на замовлення 89145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL ROHM rym002n05-e.pdf Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL RYM002N05T2CL ROHM rym002n05-e.pdf Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+7.43 грн
32000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1713+8.26 грн
1769+8.00 грн
2500+7.76 грн
5000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 1713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 123611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1217+11.63 грн
1279+11.06 грн
1640+8.63 грн
2000+7.41 грн
8000+6.68 грн
16000+5.48 грн
32000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 1217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
720+19.66 грн
747+18.94 грн
1000+18.33 грн
2500+17.15 грн
5000+15.46 грн
10000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
720+19.66 грн
747+18.94 грн
1000+18.33 грн
2500+17.15 грн
5000+15.46 грн
10000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
528+26.80 грн
785+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
528+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYM002N05T2CL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 555611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.12 грн
19+15.97 грн
100+10.05 грн
500+7.03 грн
1000+6.25 грн
2000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RYM002N05T2CL
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs .9V DRIVE N-Ch MOSFET
на замовлення 89145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL rym002n05-e.pdf
RYM002N05T2CL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.