RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 5.66 грн |
| 16000+ | 4.98 грн |
| 24000+ | 4.74 грн |
| 40000+ | 4.20 грн |
| 56000+ | 4.05 грн |
| 80000+ | 3.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RYM002N05T2CL за ціною від 4.21 грн до 30.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RYM002N05T2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 123611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 5359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RYM002N05T2CL | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs .9V DRIVE N-Ch MOSFET |
на замовлення 89145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RYM002N05T2CL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V |
на замовлення 555611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RYM002N05T2CL |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |