RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 5.81 грн |
| 24000+ | 4.87 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RYM002N05T2CL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.
Інші пропозиції RYM002N05T2CL за ціною від 7.99 грн до 39.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 4447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V |
на замовлення 138908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 120398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 120398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RYM002N05T2CL | ROHM |
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 11422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RYM002N05T2CL | ROHM |
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm |
на замовлення 11422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1443+ | 9.87 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1418+ | 10.04 грн |
| 1467+ | 9.71 грн |
| 2500+ | 9.43 грн |
| 5000+ | 8.84 грн |
| 10000+ | 7.99 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 4447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1418+ | 10.04 грн |
| 1467+ | 9.71 грн |
| 2500+ | 9.43 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1290+ | 11.04 грн |
| 1334+ | 10.68 грн |
| 2500+ | 10.37 грн |
| 5000+ | 9.73 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1287+ | 11.07 грн |
| 1444+ | 9.86 грн |
| 2000+ | 9.21 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 138908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.85 грн |
| 17+ | 18.35 грн |
| 50+ | 13.21 грн |
| 100+ | 10.83 грн |
| 500+ | 8.07 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 715+ | 38.33 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 120398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 39.20 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 120398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 364+ | 39.20 грн |
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 11422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RYM002N05T2CL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
Description: ROHM - RYM002N05T2CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
на замовлення 11422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




