НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
UG4005-TPMicro Commercial CoDescription: DIODE FAST REC 1A DO-41
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4026HKDEGA ProductsDescription: EGA STEEL EZY-CLIMB LADDER W/ HA
Packaging: Bulk
Capacity: 450 lbs
Material: Steel
Type: EZY-Climb Ladder
Part Status: Active
Step Quantity: 4
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+83035.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG44
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG496/UAmphenolConn HN 0Hz to 4GHz 50Ohm Solder Cup ST Flange Mount RCP Silver
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7132.88 грн
3+7071.31 грн
5+5446.92 грн
10+4882.37 грн
20+4656.03 грн
50+4203.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UG4AVishay SemiconductorsRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4ATaiwan SemiconductorRectifiers 4A,50V,STD.GLASS PASSIVATED ULTRAFAST RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A R0Taiwan SemiconductorRectifiers 4A,50V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 4A,50V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
10+36.78 грн
100+25.55 грн
500+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.38 грн
10+35.68 грн
100+21.61 грн
500+16.87 грн
1400+13.67 грн
2800+13.46 грн
9800+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-M3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 4A,50V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-M3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-M3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-M3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 4A,50V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4A-M354VishayDiode Switching 50V 4A 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4BGI
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 100V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.94 грн
10+39.37 грн
100+22.87 грн
500+18.76 грн
1400+15.27 грн
2800+13.39 грн
9800+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 100V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.49 грн
10+34.22 грн
100+24.66 грн
500+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-E3/73Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-M3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 4A,100V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-M3/54Vishay / SiliconixRectifiers 4A,100V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-M3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE 4A 100V 20NS DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-M3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 4A,100V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-M3/73Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE 4A 100V 20NS DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4B-M3/73Vishay / SiliconixRectifiers 4A,100V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-E3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 150 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 150 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 150 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-E3/73Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 150V 4A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-M3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE 4A 150V 20NS DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-M3/54Vishay / SiliconixRectifiers 4A,150V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-M3/73Vishay / SiliconixRectifiers 4A,150V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4C-M3/73Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE 4A 150V 20NS DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.93 грн
10+35.05 грн
100+24.18 грн
500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DTaiwan SemiconductorDiode Switching 200V 4A 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D
на замовлення 6541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DTaiwan SemiconductorRectifiers 20ns, 4A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.47 грн
10+37.28 грн
100+22.45 грн
500+17.22 грн
1250+14.64 грн
2500+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 20ns, 4A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D R0Taiwan SemiconductorRectifiers 4A,200V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 4A,200V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 4A; 13 inch reel; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 20pF
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.95V
Leakage current: 0.3mA
Reverse recovery time: 50ns
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.48 грн
16+27.02 грн
100+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
11+29.38 грн
100+24.21 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54VishayDiode Switching 200V 4A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54VishayDO-201 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+18.78 грн
2800+17.36 грн
4200+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54VishayDiode Switching 200V 4A 2-Pin DO-201AD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.34 грн
10+45.14 грн
100+27.96 грн
500+21.96 грн
1400+17.64 грн
2800+16.04 грн
4200+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - UG4D-E3/54 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 4 A, Einfach, 1 V, 20 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.46 грн
20+41.49 грн
100+28.31 грн
500+20.70 грн
1000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 200 Volt 4.0A 20ns 150 Amp IFSM
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.61 грн
10+59.33 грн
100+36.88 грн
500+29.49 грн
1000+24.05 грн
2000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3\54Vishay SemiconductorsRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-E3\73Vishay SemiconductorsRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-M3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-M3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-M3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-M3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-M3\54VishayRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4D-M3\73VishayRectifiers 4A,200V,20NS,UF RECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DL-5702
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DL-5703
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4DL-5711E3/38
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4JGSOT-353T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB05SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB10SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB100SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.48 грн
35+26.22 грн
105+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB100TBSMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A D3K
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB100TBSMC DIODE SOLUTIONSCategory: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Version: flat
Case: D3K
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.35 грн
28+15.44 грн
37+13.68 грн
148+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB20SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB40SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB60SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB60TBSMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A D3K
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UG4KB80SMC Diode SolutionsDescription: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A D3K
Packaging: Tube
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: D3K
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 15V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 34064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3455.24 грн
10+2932.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075005L8SQorvoJFETs 750V/5mO, G4, Dual Gate FET in TOLL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3930.55 грн
25+3366.84 грн
100+2526.08 грн
250+2325.98 грн
500+2165.61 грн
1000+2088.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 15V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2488.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075006K4SonsemiJFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2760.82 грн
10+2420.70 грн
100+2101.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MO,COMBO-FET,G4,TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 180mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MO,COMBO-FET,G4,TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.7V @ 110mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075009K4SonsemiJFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2455.78 грн
10+2103.18 грн
120+1599.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075011K4SonsemiJFETs 750V/11mO,COMBO-FET,G4,TO247-4
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1751.34 грн
25+1501.01 грн
100+1126.04 грн
250+1045.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075011K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UG4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 0.0142 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0142ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2398.02 грн
5+2201.17 грн
10+2004.32 грн
50+1824.14 грн
100+1648.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MO,COMBO-FET,G4,TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.7V @ 85mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1967.25 грн
10+1388.24 грн
100+1188.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.