Продукція > ONSEMI > UG4SC075005L8S
UG4SC075005L8S

UG4SC075005L8S onsemi

UG4SC075005L8S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 15V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+2491.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис UG4SC075005L8S onsemi

Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 15V, Power Dissipation (Max): 1153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V.

Інші пропозиції UG4SC075005L8S за ціною від 2092.03 грн до 3936.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
UG4SC075005L8S UG4SC075005L8S onsemi UG4SC075005L8S-D.PDF Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 15V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 34064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3460.39 грн
10+2936.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075005L8S UG4SC075005L8S Qorvo Qorvo_UG4SC075005L8S-3519159.pdf JFETs 750V/5mO, G4, Dual Gate FET in TOLL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3936.41 грн
25+3371.87 грн
100+2529.85 грн
250+2329.45 грн
500+2168.84 грн
1000+2092.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075005L8S UG4SC075005L8S-D.PDF
UG4SC075005L8S
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 15V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 34064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3460.39 грн
10+2936.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UG4SC075005L8S Qorvo_UG4SC075005L8S-3519159.pdf
UG4SC075005L8S
Виробник: Qorvo
JFETs 750V/5mO, G4, Dual Gate FET in TOLL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3936.41 грн
25+3371.87 грн
100+2529.85 грн
250+2329.45 грн
500+2168.84 грн
1000+2092.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.