Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > Всі товари виробника PANJIT INTERNATIONAL INC. (11478) > Сторінка 131 з 192

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 152 171 190 192  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ED604CS_S2_00001 ED604CS_S2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_L2_00001 ED602CS_L2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_L2_00001 ED602CS_L2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_S2_00001 ED606CS_S2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_S2_00001 ED606CS_S2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.32 грн
10+68.69 грн
100+52.61 грн
500+39.03 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_L2_00001 ED606CS_L2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_L2_00001 ED606CS_L2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.32 грн
10+68.69 грн
100+52.61 грн
500+39.03 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED604CS_L2_00001 ED604CS_L2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED604CS_L2_00001 ED604CS_L2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_S2_00001 ED602CS_S2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_S2_00001 ED602CS_S2_00001 Panjit International Inc. ED602CS_SERIES.pdf Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5410_R2_00001 PJQ5410_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5410.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5410_R2_00001 PJQ5410_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5410.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.09 грн
10+41.83 грн
100+27.18 грн
500+19.60 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5468A_R2_00001 PJQ5468A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5468A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5468A_R2_00001 PJQ5468A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5468A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.22 грн
10+76.26 грн
100+50.76 грн
500+37.37 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A-AU_R2_000A1 PJQ5466A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5466A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A-AU_R2_000A1 PJQ5466A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5466A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.22 грн
10+52.72 грн
100+34.67 грн
500+25.25 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442_R2_00001 PJQ5442_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5442.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442_R2_00001 PJQ5442_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5442.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.41 грн
10+55.80 грн
100+36.62 грн
500+26.62 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427_R2_00001 PJQ5427_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427_R2_00001 PJQ5427_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.31 грн
10+101.54 грн
100+79.17 грн
500+61.38 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446_R2_00001 PJQ5446_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5446.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446_R2_00001 PJQ5446_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5446.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.45 грн
10+47.82 грн
100+31.13 грн
500+22.48 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446-AU_R2_000A1 PJQ5446-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5446-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.87 грн
6000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446-AU_R2_000A1 PJQ5446-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5446-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.54 грн
10+55.22 грн
100+36.17 грн
500+26.28 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5412_R2_00001 PJQ5412_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5412.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5412_R2_00001 PJQ5412_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5412.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+36.59 грн
100+23.57 грн
500+16.84 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5443-AU_R2_000A1 PJQ5443-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5443-AU.pdf Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5443-AU_R2_000A1 PJQ5443-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5443-AU.pdf Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5466A1.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5466A1.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.45 грн
10+47.82 грн
100+31.13 грн
500+22.48 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5450-AU_R2_000A1 PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5450-AU_R2_000A1 PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.91 грн
10+49.73 грн
100+32.47 грн
500+23.49 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 PJQ5466A1-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5466A1-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 PJQ5466A1-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5466A1-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.54 грн
10+67.19 грн
100+44.41 грн
500+32.52 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5424_R2_00001 PJQ5424_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5424.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5424_R2_00001 PJQ5424_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5424.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.18 грн
10+48.73 грн
100+31.95 грн
500+23.19 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5423_R2_00001 PJQ5423_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5423.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5423_R2_00001 PJQ5423_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5423.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.54 грн
10+55.05 грн
100+36.08 грн
500+26.21 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442-AU_R2_000A1 PJQ5442-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5442-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442-AU_R2_000A1 PJQ5442-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5442-AU.pdf Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.90 грн
10+73.52 грн
100+48.86 грн
500+35.92 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N5938B_R2_00001 1N5938B_R2_00001 Panjit International Inc. 1N5921B_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 36V 1.5W DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 38 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1.5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE20A_R2_00001 1.5KE20A_R2_00001 Panjit International Inc. 1.5KE_SERIES.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO201AE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AE, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 54A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-201AE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE20A_R2_00001 1.5KE20A_R2_00001 Panjit International Inc. 1.5KE_SERIES.pdf Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO201AE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AE, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 54A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-201AE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB150_R2_00001 SB150_R2_00001 Panjit International Inc. SB120_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB150_R2_00001 SB150_R2_00001 Panjit International Inc. SB120_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_T0_00001 PCDB10120G1_T0_00001 Panjit International Inc. PCDB10120G1.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_T0_00001 PCDB10120G1_T0_00001 Panjit International Inc. PCDB10120G1.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5A_R1_00001 P6SMBJ7.5A_R1_00001 Panjit International Inc. P6SMBJ_SERIES.pdf Description: SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5A_R1_00001 P6SMBJ7.5A_R1_00001 Panjit International Inc. P6SMBJ_SERIES.pdf Description: SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.63 грн
10+38.67 грн
100+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MB110_R1_00001 MB110_R1_00001 Panjit International Inc. MB14_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB110_R1_00001 MB110_R1_00001 Panjit International Inc. MB14_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.73 грн
11+30.52 грн
100+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ERT3DAF_R1_00001 ERT3DAF_R1_00001 Panjit International Inc. ERT3AAF_SERIES.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ERT3DAF_R1_00001 ERT3DAF_R1_00001 Panjit International Inc. ERT3AAF_SERIES.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C51_R1_00001 AZ23C51_R1_00001 Panjit International Inc. AZ23C2V4_SERIES.pdf Description: DUAL SURFACE MOUNT ZENER DIODES
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
6000+3.40 грн
15000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C51_R1_00001 AZ23C51_R1_00001 Panjit International Inc. AZ23C2V4_SERIES.pdf Description: DUAL SURFACE MOUNT ZENER DIODES
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.32 грн
19+18.30 грн
100+9.69 грн
500+5.98 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001 PJD60R390E_L2_00001 Panjit International Inc. PJx60R390E.pdf Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001 PJD60R390E_L2_00001 Panjit International Inc. PJx60R390E.pdf Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJF60R390E_T0_00001 PJF60R390E_T0_00001 Panjit International Inc. PJx60R390E.pdf Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DW_R2_00001 PBHV8110DW_R2_00001 Panjit International Inc. PBHV8110DW.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ED604CS_S2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED604CS_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_L2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED602CS_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_L2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED602CS_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_S2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED606CS_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_S2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED606CS_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.32 грн
10+68.69 грн
100+52.61 грн
500+39.03 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_L2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED606CS_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED606CS_L2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED606CS_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.32 грн
10+68.69 грн
100+52.61 грн
500+39.03 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED604CS_L2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED604CS_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED604CS_L2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED604CS_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_S2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED602CS_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ED602CS_S2_00001 ED602CS_SERIES.pdf
ED602CS_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.59 грн
10+66.45 грн
100+50.96 грн
500+37.81 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5410_R2_00001 PJQ5410.pdf
PJQ5410_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5410_R2_00001 PJQ5410.pdf
PJQ5410_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.09 грн
10+41.83 грн
100+27.18 грн
500+19.60 грн
1000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5468A_R2_00001 PJQ5468A.pdf
PJQ5468A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5468A_R2_00001 PJQ5468A.pdf
PJQ5468A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.22 грн
10+76.26 грн
100+50.76 грн
500+37.37 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A-AU_R2_000A1 PJQ5466A-AU.pdf
PJQ5466A-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A-AU_R2_000A1 PJQ5466A-AU.pdf
PJQ5466A-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.22 грн
10+52.72 грн
100+34.67 грн
500+25.25 грн
1000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442_R2_00001 PJQ5442.pdf
PJQ5442_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442_R2_00001 PJQ5442.pdf
PJQ5442_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.41 грн
10+55.80 грн
100+36.62 грн
500+26.62 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427_R2_00001
PJQ5427_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5427_R2_00001
PJQ5427_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.31 грн
10+101.54 грн
100+79.17 грн
500+61.38 грн
1000+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446_R2_00001 PJQ5446.pdf
PJQ5446_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446_R2_00001 PJQ5446.pdf
PJQ5446_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.45 грн
10+47.82 грн
100+31.13 грн
500+22.48 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446-AU_R2_000A1 PJQ5446-AU.pdf
PJQ5446-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.87 грн
6000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5446-AU_R2_000A1 PJQ5446-AU.pdf
PJQ5446-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.54 грн
10+55.22 грн
100+36.17 грн
500+26.28 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5412_R2_00001 PJQ5412.pdf
PJQ5412_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5412_R2_00001 PJQ5412.pdf
PJQ5412_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+36.59 грн
100+23.57 грн
500+16.84 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5443-AU_R2_000A1 PJQ5443-AU.pdf
PJQ5443-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5443-AU_R2_000A1 PJQ5443-AU.pdf
PJQ5443-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1.pdf
PJQ5466A1_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1_R2_00001 PJQ5466A1.pdf
PJQ5466A1_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.45 грн
10+47.82 грн
100+31.13 грн
500+22.48 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5450-AU_R2_000A1 PJQ5450-AU.pdf
PJQ5450-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5450-AU_R2_000A1 PJQ5450-AU.pdf
PJQ5450-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.91 грн
10+49.73 грн
100+32.47 грн
500+23.49 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 PJQ5466A1-AU.pdf
PJQ5466A1-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 PJQ5466A1-AU.pdf
PJQ5466A1-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.54 грн
10+67.19 грн
100+44.41 грн
500+32.52 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5424_R2_00001 PJQ5424.pdf
PJQ5424_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5424_R2_00001 PJQ5424.pdf
PJQ5424_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.18 грн
10+48.73 грн
100+31.95 грн
500+23.19 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5423_R2_00001 PJQ5423.pdf
PJQ5423_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5423_R2_00001 PJQ5423.pdf
PJQ5423_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.54 грн
10+55.05 грн
100+36.08 грн
500+26.21 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442-AU_R2_000A1 PJQ5442-AU.pdf
PJQ5442-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5442-AU_R2_000A1 PJQ5442-AU.pdf
PJQ5442-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.90 грн
10+73.52 грн
100+48.86 грн
500+35.92 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N5938B_R2_00001 1N5921B_SERIES.pdf
1N5938B_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 36V 1.5W DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 38 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1.5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE20A_R2_00001 1.5KE_SERIES.pdf
1.5KE20A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO201AE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AE, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 54A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-201AE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE20A_R2_00001 1.5KE_SERIES.pdf
1.5KE20A_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TVS DIODE 17.1VWM 27.7V DO201AE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AE, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 54A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17.1V
Supplier Device Package: DO-201AE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.7V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB150_R2_00001 SB120_SERIES.pdf
SB150_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB150_R2_00001 SB120_SERIES.pdf
SB150_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_T0_00001 PCDB10120G1.pdf
PCDB10120G1_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCDB10120G1_T0_00001 PCDB10120G1.pdf
PCDB10120G1_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ7.5A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMBJ7.5A_R1_00001 P6SMBJ_SERIES.pdf
P6SMBJ7.5A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.63 грн
10+38.67 грн
100+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MB110_R1_00001 MB14_SERIES.pdf
MB110_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB110_R1_00001 MB14_SERIES.pdf
MB110_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.73 грн
11+30.52 грн
100+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ERT3DAF_R1_00001 ERT3AAF_SERIES.pdf
ERT3DAF_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ERT3DAF_R1_00001 ERT3AAF_SERIES.pdf
ERT3DAF_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SMBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C51_R1_00001 AZ23C2V4_SERIES.pdf
AZ23C51_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DUAL SURFACE MOUNT ZENER DIODES
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.06 грн
6000+3.40 грн
15000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C51_R1_00001 AZ23C2V4_SERIES.pdf
AZ23C51_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DUAL SURFACE MOUNT ZENER DIODES
на замовлення 17884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.32 грн
19+18.30 грн
100+9.69 грн
500+5.98 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001 PJx60R390E.pdf
PJD60R390E_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001 PJx60R390E.pdf
PJD60R390E_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJF60R390E_T0_00001 PJx60R390E.pdf
PJF60R390E_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV8110DW_R2_00001 PBHV8110DW.pdf
PBHV8110DW_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.6 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 152 171 190 192  Наступна Сторінка >> ]