PJQ5866A-AU_R2_000A1

PJQ5866A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.


PJQ5866A-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJQ5866A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN5060B-8, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJQ5866A-AU_R2_000A1 за ціною від 27.27 грн до 69.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ5866A-AU_R2_000A1 PJQ5866A-AU_R2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJQ5866A-AU.pdf Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.24 грн
10+54.10 грн
100+42.08 грн
500+33.47 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.