Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu
Виробник: Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34%
FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.
Інші пропозиції Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu | Fujitsu | Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK027WG Fujitsu |
Виробник: Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


