Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 03N06L
03N06L

03N06L Goford Semiconductor

03N06L.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.80 грн
16+20.40 грн
100+12.92 грн
500+9.09 грн
1000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 03N06L Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції 03N06L за ціною від 3.25 грн до 3.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
03N06L Виробник : GOFORD Semiconductor 03N06L.pdf N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3192+3.92 грн
15000+3.58 грн
30000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3192
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L Виробник : Goford Semiconductor 03N06L.pdf Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
03N06L 03N06L Виробник : Goford Semiconductor 03N06L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.