0910-60M Microsemi Corporation


5597-0910-60m-r1-datasheet
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW
Supplier Device Package: 55AW
Frequency - Transition: 890MHz ~ 1GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Power - Max: 180W
Gain: 8dB ~ 8.5dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55AW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 0910-60M Microsemi Corporation

Description: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW, Supplier Device Package: 55AW, Frequency - Transition: 890MHz ~ 1GHz, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Power - Max: 180W, Gain: 8dB ~ 8.5dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 55AW, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції 0910-60M

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
0910-60M 0910-60M Microsemi 0910-60M%20R1-603577.pdf RF Bipolar Transistors P-Band/Bipolar Radar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
0910-60M 0910-60M%20R1-603577.pdf
Виробник: Microsemi
RF Bipolar Transistors P-Band/Bipolar Radar Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.