1011GN-2200VP Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: RF MOSFET HEMT 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Power - Output: 2200W
Gain: 19.4dB
Technology: HEMT
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 300 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1011GN-2200VP Microchip Technology
Description: RF MOSFET HEMT 50V, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Power - Output: 2200W, Gain: 19.4dB, Technology: HEMT, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 300 mA.
Інші пропозиції 1011GN-2200VP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1011GN-2200VP | Виробник : Microchip Technology |
GaN FETs PALLET, GaN, 1030/1090 MHz, 2200W, 50V |
товару немає в наявності |