Технічний опис 1011GN-2200VP Microchip Technology
Description: RF MOSFET HEMT 50V, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Power - Output: 2200W, Gain: 19.4dB, Technology: HEMT, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 300 mA.
Інші пропозиції 1011GN-2200VP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 1011GN-2200VP | Виробник : Microchip Technology |
1011GN-2200VP |
товару немає в наявності |
||
| 1011GN-2200VP | Виробник : Microchip Technology |
Description: RF MOSFET HEMT 50VPackaging: Bulk Package / Case: Module Frequency: 1.03GHz ~ 1.09GHz Power - Output: 2200W Gain: 19.4dB Technology: HEMT Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 300 mA |
товару немає в наявності |
||
|
1011GN-2200VP | Виробник : Microchip Technology |
GaN FETs PALLET, GaN, 1030/1090 MHz, 2200W, 50V |
товару немає в наявності |

