10N65F UMW
Код товару: 220928
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: UMW
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1549/32
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 10N65F за ціною від 21.66 грн до 189.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
10N65F | GOODWORK |
Description: 650V 10A 1.2@10V ITO-220AB-3 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
10N65F | UMW |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FPackaging: Tube |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
10N65F | EVVO |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1037 pF @ 25 V |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 10N65F |
![]() |
Виробник: GOODWORK
Description: 650V 10A 1.2@10V ITO-220AB-3
Description: 650V 10A 1.2@10V ITO-220AB-3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 21.66 грн |
| 10N65F |
![]() |
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.71 грн |
| 10+ | 73.52 грн |
| 50+ | 55.08 грн |
| 100+ | 46.11 грн |
| 500+ | 36.30 грн |
| 10N65F |
![]() |
Виробник: EVVO
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1037 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1037 pF @ 25 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.68 грн |
| 10+ | 117.97 грн |
| 50+ | 89.91 грн |
| 100+ | 75.87 грн |
З цим товаром купують
| NE555P Код товару: 26138
11
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер; 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер; 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 2461 шт
- 2370 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 52 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 148 шт
- 148 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |







