Продукція > IR > 110MT120KB

110MT120KB IR

110mt080kb.pdf Виробник: IR
.
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 110MT120KB IR

Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 110A MTK, Packaging: Bulk, Package / Case: MTK, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Three Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: MTK, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 110 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1200 V.

Інші пропозиції 110MT120KB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
110MT120KB Виробник : IR 110mt080kb.pdf 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
110MT120KB Виробник : IR 110mt080kb.pdf 110A/1200V/DIODE/6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
110MT120KB Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division 110mt080kb.pdf Description: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 110A MTK
Packaging: Bulk
Package / Case: MTK
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: MTK
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 110 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 mA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.