Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 15C01C-TB-E
15C01C-TB-E

15C01C-TB-E ON Semiconductor

en7504-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6049+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 6049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6049 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 15C01C-TB-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 15C01C-TB-E за ціною від 4.29 грн до 36.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
15C01C-TB-E 15C01C-TB-E onsemi EN7504_D-2311188.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+36.69 грн
12+26.65 грн
100+13.09 грн
1000+6.62 грн
3000+5.72 грн
9000+4.59 грн
24000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15C01C-TB-E ONSEMI ONSMS36096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 110900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15C01C-TB-E EN7504_D-2311188.pdf
15C01C-TB-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.69 грн
12+26.65 грн
100+13.09 грн
1000+6.62 грн
3000+5.72 грн
9000+4.59 грн
24000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15C01C-TB-E ONSMS36096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 110900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.