Продукція > ONSEMI > 15C01C-TB-E
15C01C-TB-E

15C01C-TB-E onsemi

en7504-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 110900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4948+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 4948
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 15C01C-TB-E onsemi

Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 15C01C-TB-E за ціною від 4.18 грн до 35.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
15C01C-TB-E 15C01C-TB-E Виробник : ON Semiconductor en7504-d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 300mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6049+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 6049
В кошику  од. на суму  грн.
15C01C-TB-E 15C01C-TB-E Виробник : onsemi EN7504_D-2311188.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.79 грн
13+26.00 грн
100+12.77 грн
1000+6.46 грн
3000+5.58 грн
9000+4.48 грн
24000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
15C01C-TB-E Виробник : ONSEMI ONSMS36096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 110900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
15C01C-TB-E 15C01C-TB-E Виробник : onsemi en7504-d.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.