Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 15GN01MA-TL-E
15GN01MA-TL-E

15GN01MA-TL-E ON Semiconductor

ENA1100-D-117740.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 50MA 8V FT=1.5G
на замовлення 8862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 15GN01MA-TL-E ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3-MCP, Supplier Device Package: 3-MCP, Frequency - Transition: 1.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 400mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, Gull Wing, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 15GN01MA-TL-E за ціною від 5.39 грн до 5.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
15GN01MA-TL-E onsemi ena1100-d.pdf Description: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3-MCP
Supplier Device Package: 3-MCP
Frequency - Transition: 1.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3643+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
15GN01MA-TL-E ena1100-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3-MCP
Supplier Device Package: 3-MCP
Frequency - Transition: 1.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Gull Wing
Packaging: Bulk
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3643+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3643 шт
В кошику  од. на суму  грн.