15GN01MA-TL-E

15GN01MA-TL-E ON Semiconductor


ENA1100-D-117740.pdf Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 50MA 8V FT=1.5G
на замовлення 8862 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 15GN01MA-TL-E ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3-MCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 1.5GHz, Supplier Device Package: 3-MCP.

Інші пропозиції 15GN01MA-TL-E за ціною від 5.68 грн до 5.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
15GN01MA-TL-E Виробник : ONSEMI ONSMS36602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 15GN01MA-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
15GN01MA-TL-E Виробник : onsemi ena1100-d.pdf Description: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3643+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3643
В кошику  од. на суму  грн.
15GN01MA-TL-E Виробник : onsemi ena1100-d.pdf Description: RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3-MCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: 3-MCP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.