Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 15GN03MA-TL-E
15GN03MA-TL-E

15GN03MA-TL-E ON Semiconductor

ENA1108-D-118043.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 15GN03MA-TL-E ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3-MCP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 3-MCP, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz, Frequency - Transition: 1.5GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Power - Max: 400mW, Gain: 13dB @ 0.4GHz, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 15GN03MA-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
15GN03MA-TL-E 15GN03MA-TL-E onsemi 15GN03MA-D.PDF RF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
15GN03MA-TL-E 15GN03MA-D.PDF
15GN03MA-TL-E
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.