Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > 18N20
18N20

18N20 Goford Semiconductor

18N20.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.16 грн
10+68.75 грн
100+46.08 грн
500+34.12 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 18N20 Goford Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 65.8W; TO252, Case: TO252, Mounting: SMD, Drain current: 18A, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 65.8W, Drain-source voltage: 200V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Planar, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18nC.

Інші пропозиції 18N20 за ціною від 32.36 грн до 7125.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
18N20 Виробник : GOFORD Semiconductor 18N20.pdf N-CH 200V 18A 0.136OhmMAX at 10V TO-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
18N-20 Виробник : Spectrum Control 18N-20
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+7125.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 18N20 Виробник : Goford Semiconductor 18N20.pdf Description: N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 847 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N-20 Виробник : Spectrum Control N.pdf RF Connectors / Coaxial Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
18N20 Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR 18N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 65.8W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 65.8W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.