18N20F Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 30.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 18N20F Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції 18N20F за ціною від 40.56 грн до 40.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 18N20F | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 18N20F | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 35W; TO220F Case: TO220F Mounting: THT Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: Planar Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC |
товару немає в наявності |