1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1ED21271S65FXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.96 грн |
| 10+ | 70.22 грн |
| 25+ | 63.67 грн |
| 100+ | 53.00 грн |
| 250+ | 49.79 грн |
| 500+ | 47.86 грн |
| 1000+ | 46.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies
Description: 1ED21271S65FXUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V, Supplier Device Package: PG-DSO-8, Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: SiC MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V, Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A.
Інші пропозиції 1ED21271S65FXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1ED21271S65FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers 650V high-side gate driver |
на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 1ED21271S65FXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 650V high-side gate driver
Gate Drivers 650V high-side gate driver
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)