1ED3123MU12HXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 157.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED3123MU12HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 14A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 14A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1ED, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції 1ED3123MU12HXUMA1 за ціною від 115.50 грн до 337.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 14A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 14A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A Voltage - Isolation: 1200Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3123MU12HXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 14A, 3.1V bis 15V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 14A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 14A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-Channel 5.7 kV rms Isolated Gate Driver IC |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-Channel 5.7 kV rms Isolated Gate Driver IC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RBD-50-P-00 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-Channel 5.7 kV rms Isolated Gate Driver IC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1ED3123MU12HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A Voltage - Isolation: 1200Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8-66 Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
товару немає в наявності |