1ED3124MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 6A, 6A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 82.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED3124MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3124MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 14A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 13.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 1ED3124MU12FXUMA1 за ціною від 75.80 грн до 182.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3124MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 14A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 13.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3124MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 14A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 13.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 4075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005352064 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1ED3124MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |