1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
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Технічний опис 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, Bauform - Treiber: SOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 1ED3125MU12FXUMA1 за ціною від 61.81 грн до 157.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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1ED3125MU12FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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1ED3125MU12FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
на замовлення 2732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| 1ED3125MU12FXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 86.28 грн |
| 250+ | 75.42 грн |
| 500+ | 72.60 грн |
| 1000+ | 69.43 грн |
| 1ED3125MU12FXUMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.50 грн |
| 10+ | 99.70 грн |
| 25+ | 78.94 грн |
| 100+ | 70.34 грн |
| 250+ | 66.04 грн |
| 500+ | 63.65 грн |
| 1000+ | 61.81 грн |
| 1ED3125MU12FXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 154.59 грн |
| 10+ | 114.30 грн |
| 50+ | 104.43 грн |
| 100+ | 86.28 грн |
| 250+ | 75.42 грн |
| 500+ | 72.60 грн |
| 1000+ | 69.43 грн |
| 1ED3125MU12FXUMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.79 грн |
| 10+ | 111.79 грн |
| 25+ | 101.74 грн |
| 100+ | 85.17 грн |
| 250+ | 80.26 грн |
| 500+ | 77.29 грн |
| 1000+ | 73.63 грн |