1ED3125MU12FXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.13 грн |
| 250+ | 84.37 грн |
| 500+ | 81.46 грн |
| 1000+ | 78.55 грн |
| 2500+ | 74.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED3125MU12FXUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1ED3125MU12FXUMA1 за ціною від 62.97 грн до 160.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-channel 3.0 kV rms Isolated Gate Driver IC |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-channel 3.0 kV rms Isolated Gate Driver IC |
на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
на замовлення 1605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005352066 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single-channel 3.0 kV rms Isolated Gate Driver IC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
1ED3125MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
товару немає в наявності |