Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 1ED3125MU12FXUMA1
1ED3125MU12FXUMA1

1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-1ed312xmu12f-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.31 грн
5000+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, Bauform - Treiber: SOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 1ED3125MU12FXUMA1 за ціною від 72.99 грн до 147.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.41 грн
132+107.49 грн
158+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.53 грн
10+107.83 грн
25+87.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon-1ed312xmu12f-datasheet-en.pdf Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.23 грн
10+104.62 грн
25+95.43 грн
100+79.99 грн
250+75.44 грн
500+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v01_30-EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 INFINEON 3199839.pdf Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 1ED3125MU12FXUMA1 INFINEON 3199839.pdf Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.41 грн
132+107.49 грн
158+89.81 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.53 грн
10+107.83 грн
25+87.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 infineon-1ed312xmu12f-datasheet-en.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 14A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.23 грн
10+104.62 грн
25+95.43 грн
100+79.99 грн
250+75.44 грн
500+72.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v01_30-EN.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 3199839.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3125MU12FXUMA1 3199839.pdf
1ED3125MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.