Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 1ED3127MU12FXUMA1
1ED3127MU12FXUMA1

1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+66.68 грн
5000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції 1ED3127MU12FXUMA1 за ціною від 61.38 грн до 140.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 INFINEON 3812603.pdf Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.65 грн
250+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.83 грн
10+93.15 грн
25+84.82 грн
100+71.01 грн
250+66.90 грн
500+64.43 грн
1000+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v01_30-EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.61 грн
10+102.94 грн
25+81.05 грн
100+72.60 грн
250+68.51 грн
500+66.04 грн
1000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 INFINEON 3812603.pdf Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
10+103.61 грн
50+94.56 грн
100+78.65 грн
250+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 3812603.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+78.65 грн
250+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177cf830baf768b
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.83 грн
10+93.15 грн
25+84.82 грн
100+71.01 грн
250+66.90 грн
500+64.43 грн
1000+61.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v01_30-EN.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+140.61 грн
10+102.94 грн
25+81.05 грн
100+72.60 грн
250+68.51 грн
500+66.04 грн
1000+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 3812603.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.61 грн
10+103.61 грн
50+94.56 грн
100+78.65 грн
250+69.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.