1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 77.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1ED3127MU12FXUMA1 за ціною від 65.27 грн до 171.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Supplier Device Package: PG-DSO-8-72 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 10A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Supplier Device Package: PG-DSO-8-72 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 1ED3127MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005590423 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|