Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 1ED3127MU12FXUMA1
1ED3127MU12FXUMA1

1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-1ed312xmu12f-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції 1ED3127MU12FXUMA1 за ціною від 66.23 грн до 166.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.39 грн
10+98.86 грн
25+97.34 грн
50+92.39 грн
100+84.19 грн
250+79.51 грн
500+78.21 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+100.39 грн
148+98.86 грн
150+97.34 грн
153+92.39 грн
155+84.19 грн
250+79.51 грн
500+78.21 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+141.18 грн
25000+129.00 грн
37500+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 8848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+145.84 грн
500+131.26 грн
1000+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies infineon-1ed312xmu12f-datasheet-en.pdf Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.79 грн
10+106.84 грн
25+97.42 грн
100+81.69 грн
250+77.04 грн
500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v01_30-EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+166.80 грн
10+121.82 грн
25+96.30 грн
100+85.93 грн
250+74.82 грн
500+72.60 грн
2500+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 INFINEON 3812603.pdf Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 1ED3127MU12FXUMA1 INFINEON 3812603.pdf Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+100.39 грн
10+98.86 грн
25+97.34 грн
50+92.39 грн
100+84.19 грн
250+79.51 грн
500+78.21 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+100.39 грн
148+98.86 грн
150+97.34 грн
153+92.39 грн
155+84.19 грн
250+79.51 грн
500+78.21 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+141.18 грн
25000+129.00 грн
37500+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 infineon1ed312xmu12fdatasheetv0130en.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 10A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 8848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+145.84 грн
500+131.26 грн
1000+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 infineon-1ed312xmu12f-datasheet-en.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8-72
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 10A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-8-72
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Pulse Width Distortion (Max): 5ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.79 грн
10+106.84 грн
25+97.42 грн
100+81.69 грн
250+77.04 грн
500+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 Infineon-1ED312xMU12F-DataSheet-v01_30-EN.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.80 грн
10+121.82 грн
25+96.30 грн
100+85.93 грн
250+74.82 грн
500+72.60 грн
2500+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 3812603.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3127MU12FXUMA1 3812603.pdf
1ED3127MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3127MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 10A
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 90ns
Ausgabeverzögerung: 90ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.