1ED3140MU12FXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 204+ | 61.01 грн |
| 208+ | 60.06 грн |
| 211+ | 59.10 грн |
| 250+ | 56.07 грн |
| 500+ | 51.06 грн |
| 1000+ | 48.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1ED3140MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3140MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1ED3140MU12FXUMA1 за ціною від 49.11 грн до 130.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 6.5A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3140MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 6.5A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISOLATED DRIVERPackaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A, 6.5A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6.5A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8-72 Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 300kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 9.6V ~ 32V |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3140MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 6.5A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| 1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 6.5A 2-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
1ED3140MU12FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISOLATED DRIVERPackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6A, 6.5A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 6A, 6.5A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8-72 Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 300kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 50ns, 50ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 9.6V ~ 32V |
товару немає в наявності |


