1EDB6275FXUMA1

1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies


infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.68 грн
10+72.01 грн
25+65.39 грн
100+54.47 грн
250+51.19 грн
500+49.21 грн
1000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 15V, Input Type: Non-Inverting, Supplier Device Package: PG-DSO-8-51, Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: High-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції 1EDB6275FXUMA1 за ціною від 45.43 грн до 107.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_1EDB6275F_DataSheet_v02_02_EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.30 грн
10+71.63 грн
25+56.50 грн
100+50.58 грн
250+47.73 грн
500+45.91 грн
1000+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side; SOIC8; 9A; Ch: 1; MOSFET; 1.38W
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Pulse fall time: 5ns
Impulse rise time: 8.3ns
Number of channels: 1
Power dissipation: 1.38W
Kind of integrated circuit: high-side
Topology: H-bridge
Type of integrated circuit: driver
Output current: 9A
Maximum output current: 9A
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.