Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 1EDB6275FXUMA1
1EDB6275FXUMA1

1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+80.22 грн
25+72.83 грн
100+60.78 грн
250+57.17 грн
500+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 1EDB6275FXUMA1 за ціною від 57.68 грн до 57.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 INFINEON 4098589.pdf Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Infineon Technologies Infineon_1EDB6275F_DataSheet_v02_02_EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 INFINEON 4098589.pdf Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side; SOIC8; 9A; Ch: 1; MOSFET; 1.38W
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 9A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 1.38W
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 5ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Impulse rise time: 8.3ns
Topology: H-bridge
Mounting: SMD
Maximum output current: 9A
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 4098589.pdf
1EDB6275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 Infineon_1EDB6275F_DataSheet_v02_02_EN.pdf
1EDB6275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 4098589.pdf
1EDB6275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; high-side; SOIC8; 9A; Ch: 1; MOSFET; 1.38W
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 9A
Type of integrated circuit: driver
Power dissipation: 1.38W
Integrated circuit features: MOSFET
Pulse fall time: 5ns
Case: SOIC8
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Impulse rise time: 8.3ns
Topology: H-bridge
Mounting: SMD
Maximum output current: 9A
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.