Продукція > INFINEON > 1EDB6275FXUMA1
1EDB6275FXUMA1

1EDB6275FXUMA1 INFINEON


4098589.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.93 грн
250+68.19 грн
500+65.57 грн
1000+63.38 грн
2500+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDB6275FXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423919, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції 1EDB6275FXUMA1 за ціною від 58.57 грн до 141.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1EDB6275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e58357cc43011 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
10+89.43 грн
25+81.32 грн
100+67.93 грн
250+63.94 грн
500+61.53 грн
1000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_1EDB6275F_DataSheet_v02_02_EN-3084350.pdf Gate Drivers DRIVER IC
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.90 грн
10+102.37 грн
25+80.92 грн
100+72.02 грн
250+67.39 грн
500+64.89 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Виробник : INFINEON 4098589.pdf Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.95 грн
10+104.81 грн
50+95.73 грн
100+78.93 грн
250+68.19 грн
500+65.57 грн
1000+63.38 грн
2500+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-v02_02-en.pdf 1EDB6275F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-1EDB6275F-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e58357cc43011 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 15V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 9A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.