1EDB7275FXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 58.76 грн |
| 5000+ | 55.33 грн |
| 7500+ | 54.70 грн |
| 12500+ | 50.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDB7275FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, Bauform - Treiber: SOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції 1EDB7275FXUMA1 за ціною від 55.62 грн до 161.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1EDB7275FXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns Pulse Width Distortion (Max): 2ns Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 20V |
на замовлення 15572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
1EDB7275FXUMA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
на замовлення 20327 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
1EDB7275FXUMA1 | Infineon Technologies |
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
1EDB7275FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 5751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1EDB7275FXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V Bauform - Treiber: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 5751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1EDB7275FXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 20V
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 20V
на замовлення 15572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.19 грн |
| 10+ | 82.96 грн |
| 25+ | 75.36 грн |
| 100+ | 62.90 грн |
| 250+ | 59.17 грн |
| 500+ | 56.91 грн |
| 1000+ | 55.62 грн |
| 1EDB7275FXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 20327 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.12 грн |
| 10+ | 91.52 грн |
| 25+ | 72.30 грн |
| 100+ | 63.96 грн |
| 250+ | 60.21 грн |
| 500+ | 57.88 грн |
| 1000+ | 57.51 грн |
| 1EDB7275FXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 161.05 грн |
| 120+ | 122.01 грн |
| 131+ | 111.80 грн |
| 146+ | 96.79 грн |
| 250+ | 84.69 грн |
| 500+ | 71.83 грн |
| 1EDB7275FXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDB7275FXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDB7275FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)