Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 1EDB8275FXUMA1
1EDB8275FXUMA1

1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies

infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+51.34 грн
5000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, Bauform - Treiber: SOIC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції 1EDB8275FXUMA1 за ціною від 48.48 грн до 119.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.36 грн
250+56.74 грн
500+54.55 грн
1000+54.06 грн
2500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+72.84 грн
25+66.15 грн
100+55.10 грн
250+51.79 грн
500+49.78 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies Infineon_1EDB8275F_DataSheet_v02_02_EN.pdf Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 30409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.41 грн
10+85.92 грн
25+67.87 грн
100+59.77 грн
250+56.17 грн
500+53.99 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 1EDB8275FXUMA1 INFINEON 3257199.pdf Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.23 грн
10+87.99 грн
50+79.35 грн
100+65.36 грн
250+56.74 грн
500+54.55 грн
1000+54.06 грн
2500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.36 грн
250+56.74 грн
500+54.55 грн
1000+54.06 грн
2500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 infineon-1edb7275f-datasheet-en.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns
Pulse Width Distortion (Max): 2ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.87 грн
10+72.84 грн
25+66.15 грн
100+55.10 грн
250+51.79 грн
500+49.78 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 Infineon_1EDB8275F_DataSheet_v02_02_EN.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers ISOLATED DRIVER
на замовлення 30409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.41 грн
10+85.92 грн
25+67.87 грн
100+59.77 грн
250+56.17 грн
500+53.99 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB8275FXUMA1 3257199.pdf
1EDB8275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+119.23 грн
10+87.99 грн
50+79.35 грн
100+65.36 грн
250+56.74 грн
500+54.55 грн
1000+54.06 грн
2500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.