1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 82.45 грн |
| 167+ | 75.91 грн |
| 172+ | 73.69 грн |
| 179+ | 68.38 грн |
| 250+ | 63.12 грн |
| 500+ | 60.56 грн |
| 1000+ | 60.53 грн |
| 3000+ | 60.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDB8275FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9.8A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 5.4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1EDB8275FXUMA1 за ціною від 51.01 грн до 147.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
на замовлення 4729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns Pulse Width Distortion (Max): 2ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDB8275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s) tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9.8A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 5.4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDBx275F productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 9A 1-OUT High Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin DSO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MICT,REC,152,ASY,PDNI,BARBLESS |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
1EDB8275FXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 5.4A, 9.8A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 5.4A, 9.8A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL, VDE Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 8.3ns, 5ns Common Mode Transient Immunity (Min): 300V/ns Pulse Width Distortion (Max): 2ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 8.5V ~ 20V |
товару немає в наявності |