Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > 1EDN7116GXTMA1
1EDN7116GXTMA1

1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies

infineon-ds-1edn71x6g-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: VSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, Bauform - Treiber: VSON, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 55ns, Ausgabeverzögerung: 55ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції 1EDN7116GXTMA1 за ціною від 21.63 грн до 87.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies infineonds1edn71x6gdatasheetv0201en.pdf High-Side T Gate Driver IC
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+43.36 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies infineonds1edn71x6gdatasheetv0201en.pdf High-Side T Gate Driver IC
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+43.36 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies infineon-ds-1edn71x6g-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
10+34.62 грн
25+31.13 грн
100+25.62 грн
250+23.89 грн
500+22.85 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 INFINEON 3629098.pdf Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies Infineon_DS_1EDN71x6G_DataSheet_v02_01_EN.pdf Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 INFINEON 3629098.pdf Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Bauform - Treiber: VSON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 Infineon infineon-ds-1edn71x6g-datasheet-en.pdf High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116G
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 infineonds1edn71x6gdatasheetv0201en.pdf
1EDN7116GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
811+43.36 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 infineonds1edn71x6gdatasheetv0201en.pdf
1EDN7116GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
High-Side T Gate Driver IC
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
811+43.36 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 infineon-ds-1edn71x6g-datasheet-en.pdf
1EDN7116GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.03 грн
10+34.62 грн
25+31.13 грн
100+25.62 грн
250+23.89 грн
500+22.85 грн
1000+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 3629098.pdf
1EDN7116GXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 Infineon_DS_1EDN71x6G_DataSheet_v02_01_EN.pdf
1EDN7116GXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 3629098.pdf
1EDN7116GXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
Bauform - Treiber: VSON
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 55ns
Ausgabeverzögerung: 55ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7116GXTMA1 infineon-ds-1edn71x6g-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon
High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116G
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+87.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.