1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VSON-10-4
Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN7116GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: VSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: VSON, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 55ns, Ausgabeverzögerung: 55ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 1EDN7116GXTMA1 за ціною від 19.80 грн до 87.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Bauform - Treiber: VSON Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 3168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 3168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 3ns, 3ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V |
на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7116GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7116GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 55ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| 1EDN7116GXTMA1 | Виробник : Infineon |
High-Side or Low-Side Gate Driver Non-Inverting; 3ns; 2A; 4,2V~11V; -40°C~125°C; 1EDN7116GXTMA1 INFINEON UI1EDN7116G кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|