на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 853+ | 14.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN7126GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1.5A, Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: VSON, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 75ns, Ausgabeverzögerung: 75ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1EDN7126GXTMA1 за ціною від 10.47 грн до 75.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Bauform - Treiber: VSON Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 2679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 3658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10VFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.2V ~ 11V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-VSON-10-4 Rise / Fall Time (Typ): 4ns, 4ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 7695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7126GXTMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side oder Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 10 Pin(s), VSON tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side oder Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 4.2V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 75ns Ausgabeverzögerung: 75ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High-Side T Gate Driver IC |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 1EDN7126GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005422696 |
товару немає в наявності |