1EDN7136UXTSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 31.74 грн |
| 25+ | 31.24 грн |
| 100+ | 29.63 грн |
| 250+ | 26.99 грн |
| 500+ | 25.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN7136UXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSNP, Eingang: Logik, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 4.2V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 11V, Eingabeverzögerung: 105ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 1EDN7136UXTSA1 за ціною від 20.36 грн до 47.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies |
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies |
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R |
на замовлення 7741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7Packaging: Cut Tape (CT) Driven Configuration: High-Side or Low-Side DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDN7136UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNPtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1EDN7136UXTSA1 | Infineon Technologies |
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS |
на замовлення 3025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1EDN7136UXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNPtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSNP Eingang: Logik Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 4.2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 11V Eingabeverzögerung: 105ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 1EDN7136UXTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 443+ | 31.74 грн |
| 450+ | 31.24 грн |
| 458+ | 30.73 грн |
| 465+ | 29.14 грн |
| 500+ | 26.53 грн |
| 1EDN7136UXTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg 6-Pin TSNP EP T/R
на замовлення 7741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 845+ | 41.59 грн |
| 1000+ | 38.36 грн |
| 1EDN7136UXTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE TSNP-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.72 грн |
| 10+ | 32.76 грн |
| 25+ | 29.38 грн |
| 100+ | 24.14 грн |
| 250+ | 22.50 грн |
| 500+ | 21.52 грн |
| 1000+ | 20.36 грн |
| 1EDN7136UXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDN7136UXTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 1EDN7136UXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - 1EDN7136UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, MOSFET, 7 Pin(s), TSNP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Eingang: Logik
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 4.2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 11V
Eingabeverzögerung: 105ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






