1EDN7512GXTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 888+ | 15.66 грн |
| 901+ | 15.42 грн |
| 916+ | 15.18 грн |
| 930+ | 14.40 грн |
| 946+ | 13.12 грн |
| 1000+ | 12.39 грн |
| 3000+ | 12.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN7512GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 19ns, Ausgabeverzögerung: 19ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 1EDN7512GXTMA1 за ціною від 12.18 грн до 51.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-6-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 86187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-6-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 20 V |
на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers LOW SIDE DRIVERS |
на замовлення 3524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |