![1EDN7550UXTSA1 1EDN7550UXTSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/abfc7116eae32115f4007799ec2aec0a39bf3c10/infineon_package_picture_eicedriver_1edn7550u_tsnp.jpg)
1EDN7550UXTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7500+ | 32.06 грн |
15000+ | 31.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN7550UXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7550UXTSA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, IGBT, MOSFET, 6 Pin(s), tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: XFDFN, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1ED, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 45ns, Ausgabeverzögerung: 45ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1EDN7550UXTSA1 за ціною від 28.77 грн до 98.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1635000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: XFDFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 14436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-TSNP-6-13 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: XFDFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 45ns Ausgabeverzögerung: 45ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7550UXTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-TSNP-6-13 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |