1EDN8511BXUSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN8511BXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 19ns, Ausgabeverzögerung: 19ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 1EDN8511BXUSA1 за ціною від 14.32 грн до 51.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 41093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V |
на замовлення 6762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers GATE DRIVER |
на замовлення 43176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDN8511BXUSA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, SOT-23-6 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 39699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
1EDN8511BXUSA1 Код товару: 195437
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 2-OUT Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 6-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
1EDN8511BXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-SOT23-6-2 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: GaN FET, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A DigiKey Programmable: Not Verified High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V |
товару немає в наявності |